Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom
Die Nexperia BAS116LS-Q Diode mit niedrigem Ableitstrom ist in einem extrem kleinen unbedrahteten DFN1006BD-2(SOD882BD)-SMD-Kunststoffgehäuse (Surface Mounted Device, SMD) untergebracht. Das Gehäuse verfügt über seitenbenetzbare Flanken. Die BAS116LS-Q verfügen über eine Schaltzeit von max. trr = 3 ° s und einen niedrigen Ableitstrom von max. IR = 5 nA.
Merkmale
- Schaltzeit max. trr = 3µs
- Niedriger Ableitstrom max. IR = 5nA
- Periodische Spitzensperrspannung VRRM ≤ 85 V
- Geringe Kapazität Typ. CD = 2 pF
- Extrem kleines und unverdrahtetes SMD-Kunststoffgehäuse
- Eignet sich für die Automatische Optische Prüfung (AOI) von Lötverbindungen
- Für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 zugelassen
Applikationen
- Applikationen mit niedrigem Ableitstrom
- Universalschaltung
Verwandte Dioden
Nexperia BAS116DY/-Q Dual-Schaltdioden mit niedrigem Ableitstrom
Elektrisch isolierte Epitaxialdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit in einem extrem kleinen SOT363-Gehäuse.
Nexperia BAS116VY/-Q Dreifach-Schaltdioden mit niedrigem Ableitstrom
Elektrisch isolierte Dreifach-Epitaxialdioden mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit in einem kleinen SOT363-Gehäuse.
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFN
Erfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.
Veröffentlichungsdatum: 2022-03-15
| Aktualisiert: 2023-10-30