onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST-Modul
Das NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST-Modul von Onsemi bietet drei Kanäle, eine höhere Ausgangsleistung und eine einfache Modulmontage. Jeder Kanal enthält zwei IGBTs mit 1.000 V, 100 A, zwei SiC-Dioden mit 1.200 V, 30 A und zwei Bypass-Dioden mit 1.600 V, 30 A. Das Q2BOOST-Modul bietet einen hervorragenden Wirkungsgrad und ausgezeichnete thermische Verluste mit der Flexibilität, verschiedene Fertigungsverfahren zu unterstützen.
Das NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST-Modul von onsemi ermöglicht eine höhere Ausgangsleistung als andere 1.200 V IGBT-Lösungen. Das Q2BOOST-Modul enthält einen NTC-Thermistor.
Merkmale
- Extrem effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
- Geringer Schaltverlust reduziert die Systemverlustleistung
- Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
- Niedriges induktives Layout
- 3-Kanal in Q2BOOST-Gehäuse
- Bleifreies Bauelement
Applikationen
- Solar-Umrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Dazugehöriges Modul
onsemi Drei-Stufen-NPC-Q2Pack- und Q2BOOST-Module
Leistungsintegrierte Module (PIM), die eine einzelne I-Typ-NPC-Stufe mit ausgezeichnetem Wirkungsgrad enthalten.
Schaltschema-Diagramme
Kontaktanschluss
Weitere Infos zu EliteSiC
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.
Veröffentlichungsdatum: 2020-09-25
| Aktualisiert: 2024-06-24