onsemi NDSH20120C Siliziumkarbid (SiC)-Dioden

onsemi NDSH20120C Siliziumkarbid(SiC)-Dioden bieten im Vergleich mit Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die NDSH20120C von onsemi bietet keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhter Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten.