onsemi NTH4L028N170M1 1700 V EliteSiC-MOSFET
Der onsemi NTH4L028N170M1 EliteSiC-MOSFET von1.700 V bietet eine zuverlässige, hocheffiziente Leistung für Energieinfrastruktur- und Industrieantriebs-Applikationen. Der EliteSiC-MOSFET von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannung-Drives arbeitet und Spitzen auf dem Gate ausschalten. Dieses Bauteil hat eine optimale Leistung, wenn es mit einem 20-V-Gate-Drive angesteuert wird, funktioniert aber auch gut mit einem 18-V-Gate-Drive.
Bei einer Prüfbedingung von 1.200 V bei 40 A erreicht der EliteSiC-MOSFET von 1.700 V im Vergleich mit gleichwertigen Konkurrenzprodukten, die näher bei 300 nC liegen, eine Gate-Ladung (Qg) von 200 nC. Eine niedrige Qg ist entscheidend für das Erreichen eines hohen Wirkungsgrads in schnell schaltenden, leistungsstarken erneuerbaren Energieapplikationen.
Der NTH4L028N170M1 EliteSiC-MOSFET von 1.700 V von onsemi ist in einem TO247-4L Gehäuse untergebracht und verfügt über einen Kelvin-Quellen- Anschluss am vierten Pin, der die Verlustleistung beim Einschalten und das Gate-Rauschen verbessert.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 28 mΩ bei VGS = 20 V
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 200 nC)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität (Coss = 200 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- TO247-4L Gehäuse
- Bleifrei und RoHS-konform
Applikationen
- USV
- DC/DC-Wandler
- Aufwärtswandler
Videos
Gehäuseabmessungen
Verwandte Produkte
onsemi 1.700-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-Dioden
Bieten im Vergleich mit Silizium-basierten Bauteilen eine bessere Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit.
onsemi Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs
Vollständiges Portfolio von Gate-Treibern und EliteSiC-MOSFETs, die, wenn sie gepaart sind, die Wärmeleistung verbessern.
Zugehörige Lösungen
onsemi EliteSiC
Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.