onsemi NTHL015N065SC1 12-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFETs
onsemi NTHL015N065SC1 12-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse untergebracht und sind für Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die NTHL015N065SC1 Bauteile von onsemi bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektron-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und eine 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-MOSFETs von onsemi umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.
Merkmale
- Typ. RDS(on) = 12 m bei VGS = 18 V
- Typ. RDS(on) = 15 m bei VGS = 15 V
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 283 nC)
- Hochgeschwindigkeits-Schalten mit niedriger Kapazität (Coss = 430 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- Dieses Bauteil ist halogenfrei und RoHs-konform mit der Ausnahme von 7a, bleifrei 2LI (auf Second Level Interconnection)
Applikationen
- SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
- Solarwechselrichter
- UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
- Energiespeicherung
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Veröffentlichungsdatum: 2022-08-23
| Aktualisiert: 2023-07-27