Qorvo QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren

Qorvo QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren sind diskrete GaN-auf-SiC-HEMTs (High Electron Mobility Transistors), die über einen Betriebsfrequenzbereich von 1,0 GHz bis 1,1 GHz verfügen. Diese Transistoren bieten eine lineare Verstärkung von 22,9 dB, eine Ausgangsleistung von 1.800 W, eine Betriebsspannung von 65 V und unterstützen einen Impuls- sowie CW-Betrieb. Die QPD1025L Transistoren sind in branchenüblichen Luftraum-Gehäusen erhältlich und eignen sich hervorragend für IFF-Transponder, Avionik, Test- und Messgeräte.

Merkmale

  • Betriebsfrequenzbereich von 1,0 GHz bis 1,1 GHz
  • Ausgangsleistung (P3dB)1 von 1.660 W
  • Lineare Verstärkung von 22,9 dB
  • 78,5 % typische PAE3dB1
  • 65 V Betriebsspannung
  • CW- und Impuls-fähig

Applikationen

  • IFF-Transponder
  • Avionik
  • Test- und Messgeräte

QPD1025L Funktionales Blockdiagramm

Blockdiagramm - Qorvo QPD1025L Eingangs-abgestimmte HF-Transistoren
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Teilnummer Datenblatt Beschreibung
QPD1025 QPD1025 Datenblatt GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
QPD1025L QPD1025L Datenblatt GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Veröffentlichungsdatum: 2018-02-07 | Aktualisiert: 2023-01-23