Wolfspeed CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx GaN (Galliumnitrid)-HEMTs von Wolfspeed / Cree sind High Electron Mobility Transistoren (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit), deren Betrieb über eine 28-V-Schiene ausgelegt ist. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren bieten eine Universal-Breitbandlösung für zahlreiche HF- und Mikrowellen-Applikationen. Da diese HEMTs über einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Verstärkung und umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten verfügen, sind sie hervorragend für den Einsatz in linearen und komprimierten Verstärkerschaltungen geeignet. Die CG2H40xx und CG2H30xx Transistoren sind in einer großen Auswahl von Gehäusetypen für Design-Flexibilität verfügbar, einschließlich Schraub-, Löt-, Pill- und Flansch-Gehäuse. Zu den typischen Applikationen gehören Breitbandverstärker, Mobilfunkinfrastruktur und Radar.

Merkmale

  • Hoher Wirkungsgrad
  • Hohe Gain
  • Umfangreiche Bandbreiten-Fähigkeiten
  • Robustes Design für einen langen, zuverlässigen Betrieb

Applikationen

  • Breitband-Verstärker
  • Mobilfunkinfrastruktur
  • Radar
  • Prüfmessgeräte

Technische Daten

  • Drain-Quellspannung (VDSS): 120 V bei 25 ˚C
  • Gate-Source-Spannung (VGS): -10 V bis +2 V
  • Lagertemperatur (TSTG): -65 ˚C bis +150 ˚C
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur (TJ): 225 ˚C
  • Gehäuse-Betriebstemperatur (TC): -40 ˚C bis +150 ˚C

Development Tools

Wolfspeed CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs

CG2H40xx und CG2H30xx Testboards von Wolfspeed / Cree bieten eine Demonstrations- und Evaluierungsplattform für die CG2H40xx und CG2H30xx GaN-HEMTs. Jedes Board verfügt über eine Beispiel-Verstärkerschaltung, die speziell auf das Zielbauteil zugeschnitten ist.

Wolfspeed / Cree CG2H40xx und CG2H30xx Testboards anzeigen

{"MarketingId":"139391154","Columns":"[\"PartNumber\",\"OutputPower\",\"OperatingFrequency\",\"Gain\",\"DataSheet\"]"}