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SCT3030AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3030AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030AW7TL
Price: 28.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT3030AW7TL

Herst.- Nr.:

SCT3030AW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT3030AW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 28.06	CHF 28.06
	CHF 23.57	CHF 235.70
	CHF 23.06	CHF 2’306.00
	CHF 22.45	CHF 11’225.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 20.14	CHF 20’140.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	104 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	267 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.4 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	22 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	SCT3030AW7
Gewicht pro Stück:	1.600 g

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Specification Sheets

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-Typ-MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 7-Pin-SiC-Trench-MOSFETs nutzen einen proprietären Trench-Gate-Aufbau, der den Einschaltwiderstand um 50 % und die Eingangskapazität um 35 % im Vergleich zu Planar-SiC-MOSFETs reduziert. Die MOSFETs enthalten einen zusätzlichen Pin, der die Treiber- und Stromwuellen-Pins trennt, wodurch die Auswirkungen der Induktivitätskomponente bei der Reduzierung von Vgs eliminiert und schnellere Schaltgeschwindigkeiten gewährleistet werden. Die Trench-Typ-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen hohen Spannungswiderstand, einen niedrigen Einschaltwiderstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung.