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SCT4062KEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KEC11
Price: 8.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4062KEC11

Herst.- Nr.:

SCT4062KEC11

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4062KEC11 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247N-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	81 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	115 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.5 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Artikel # Aliases:	SCT4062KE

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Datenblatt

SCT4062KEC11 Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.