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SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 9.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4062KWAHRTL

Herst.- Nr.:

SCT4062KWAHRTL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4062KWAHRTL Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.19	CHF 9.19
	CHF 6.52	CHF 65.20
	CHF 5.54	CHF 554.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 4.70	CHF 4'700.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7LA
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	81 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	93 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.5 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4.4 ns

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Datenblatt

SCT4062KWAHRTL Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 Der N-Kanal- Siliciumcarbid -Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein leistungsstarkes Bauelement in Automobilqualität für den Einsatz in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Der ROHM SCT4062KWAHR verfügt über einen hohen Drain-Source Nennspannung von 1.200 V und einen Dauersenkenstrom von 24 A (bei +25°°C), wodurch sich der MOSFET gut für Hochspannungs- und Hocheffizienz Leistungsumwandlung Systeme eignet. Mit einem typischen On-Widerstand von 62 mΩ minimiert der SCT4062KWAHR die Leitungsverluste und unterstützt ein schnelles Schalten, was zu geringeren Leistungsverlusten und verbesserten thermischen Eigenschaften beiträgt. Das im TO-263-7LA Format verpackte Bauelement bietet eine hervorragende Dissipation und lässt sich problemlos in kompakte Leistungsmodule integrieren. SCT4062KWAHR ist ideal für Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter BordLadegeräte und DC/DC Wandler bei denen Zuverlässigkeit Wirkungsgrad und thermische Stabilität entscheidend sind.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.