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TP65H050G4PWS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4PWS
Price: 3.12 CHF
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

227-TP65H050G4PWS

Herst.- Nr.:

TP65H050G4PWS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3L
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Verpackung:	Tube
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	960
Unterkategorie:	Transistors

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Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

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SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.