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TP65H070G4LSGB-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4LSGBTR
Price: 6.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP65H070G4LSGBTR

Herst.- Nr.:

TP65H070G4LSGB-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN

Datenblatt:

TP65H070G4LSGB-TR Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 6.63	CHF 6.63
	CHF 4.50	CHF 45.00
	CHF 3.31	CHF 331.00
	CHF 3.23	CHF 1’615.00
	CHF 2.96	CHF 2’960.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 2.75	CHF 8’250.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	85 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.6 V
Qg - Gate-Ladung:	8.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	96 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6.5 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns

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Datenblatt

TP65H070G4LSGB-TR Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.

TP65H070G4LSGB 650 V SuperGaN®-GaN-FET

Der 650 V SuperGaN® Galliumnitrid (GaN) FET TP65H070G4LSGB von Renesas Electronics ist ein normalerweise ausgeschaltetes Bauelement mit 650 V und 70 mΩ, das eine überlegene Qualität und Leistung bietet. Der TP65H070G4LSGB kombiniert modernste Hochspannungs-GaN-HEMT- und Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien in einem 8 mm x 8 mm großen PQFN-Gehäuse. Dieses Bauteil arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und zeichnet sich durch einen maximalen Leistungsverlust von 96 W, einen maximalen Dauersenkenstrombereich von 18,4 A bis 29 A und einen gepulsten Drainstrom von 120 A (max.) aus. Die Gen IV SuperGaN® -Plattform nutzt fortschrittliche Epi- und patentierte Designtechnologien, um die Fertigung zu vereinfachen und gleichzeitig den Wirkungsgrad gegenüber Siliziumlösungen durch die Reduzierung von Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlusten und Sperrverzögerungsladung zu verbessern.