Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

TP70H130G4PLSG-TR

Name: Renesas Electronics TP70H130G4PLSG-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H130G4PLSGTR
Price: 1.02 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP70H130G4PLSGTR

Herst.- Nr.:

TP70H130G4PLSG-TR

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TP70H130G4PLSG-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 3000 Vielfache: 3000

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.02	CHF 3’060.00
	CHF 0.987	CHF 5’922.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	163 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	10.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14.7 ns
Verpackung:	Reel
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4.3 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SuperGaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36.2 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

TP70H130G4PLSG-TR Datenblatt (PDF)

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.