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TP70H130G4PPS

Name: Renesas Electronics TP70H130G4PPS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP70H130G4PPS
Price: 3.2 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TP70H130G4PPS

Herst.- Nr.:

TP70H130G4PPS

Herst.:

Renesas Electronics

Beschreibung:

GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TP70H130G4PPS Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	163 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	10.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	69.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperGaN
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14.7 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	1250
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	SuperGaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	42.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41.7 ns

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Datenblatt

TP70H130G4PPS Datenblatt (PDF)

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SuperGaN™ FETs Gen IV

Die SuperGaN-FETs Gen IV von Transphorm sind normalerweise ausgeschaltete Bauteile, die brückenlose AC/DC-Totem-Pole-PFC-Designs ermöglichen. Diese FETs verfügen über einen Hochspannungs-GaN-High-Electron-Mobility-Transistor (HEMT) mit einem Niederspannungs-Silizium-MOSFET und bieten eine hervorragende Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit. Die SuperGaN™ Gen IV-Plattform wird mit fortschrittlicher Epi und patentierten Design-Technologien geliefert, die die Fertigung vereinfachen. Diese Designtechnologie verbessert den Wirkungsgrad über Silizium mit einer niedrigen Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verlust und Sperrverzögerungsladung. Diese FETs Gen IV sind in zwei Ausführungen verfügbar, wie z. B. TP65H035G4WS mit einem 3-Pin-TO-247-Gehäuse und TP65H300G4LSG mit einem 8x8 PQFN-Gehäuse.