TPH3206PSB

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

227-TPH3206PSB

Herst.- Nr.:

TPH3206PSB

Herst.:

Renesas Electronics

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	Renesas Electronics
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.65 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	81 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4.5 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	2 g