Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SCT4013DLLTRDC

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DLLTRDC
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DLLTRDC
Price: 27.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4013DLLTRDC

Herst.- Nr.:

SCT4013DLLTRDC

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TOLL 750V 120A SIC

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCT4013DLLTRDC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor SCT4013DLLTRDC

Auf Lager: 1'000

Lagerbestand:: 1'000 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 27 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 27.59	CHF 27.59
	CHF 21.09	CHF 210.90
	CHF 18.99	CHF 1'899.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 17.95	CHF 35'900.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-9
Transistorpolung:	N Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	170 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 V
Pd - Verlustleistung:	405 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	32 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	32 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	82 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCT4013DLLTRDC Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.