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SCT4045DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DW7TL
Price: 9.49 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT4045DW7TL

Herst.- Nr.:

SCT4045DW7TL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT4045DW7TL Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 9.49	CHF 9.49
	CHF 7.42	CHF 74.20
	CHF 5.89	CHF 589.00
	CHF 5.71	CHF 2'855.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 4.88	CHF 4'880.00
	CHF 4.82	CHF 9'640.00
10'000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	31 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	59 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.8 V
Qg - Gate-Ladung:	63 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	93 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konformität:	Done
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.3 S
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.1 ns
Artikel # Aliases:	SCT4045DW7

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Specification Sheets

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS_(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (I_D) und Quellen-Strom (I_S) (T_C = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.

SCT4045DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

Der ROHM Semiconductor SCT4045DW7 n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 45 mΩ und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der SCT4045DW7 mit 750 V ermöglicht einen einfachen Antrieb und eine einfache Parallelschaltung. Das Bauteil eignet sich für Solarwechselrichter, Induktionserwärmung und Motorantriebe.