SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Verpackung/Gehäuse

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Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 30.43
187Auf Lager
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IMZC120R007M2HXKSA1

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726-IMZC120R007M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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187Auf Lager

CHF 30.43

CHF 26.43

CHF 22.89

CHF 19.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 51.12
376Auf Lager
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IMCQ120R004M2HXUMA1

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726-IMCQ120R004M2HXU

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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376Auf Lager

Cut-Tape

CHF 51.12

CHF 42.24

CHF 37.60

Reel

CHF 37.60

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 21.26
833Auf Lager
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IMCQ120R010M2HXTMA1

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726-IMCQ120R010M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Datenblatt

833Auf Lager

Cut-Tape

CHF 21.26

CHF 17.76

CHF 15.53

Reel

CHF 15.53

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 32.03
578Auf Lager
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R012M2HHX

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Infineon Technologies

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578Auf Lager

Cut-Tape

CHF 32.03

CHF 27.81

CHF 24.33

Reel

CHF 24.33

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 29.21
492Auf Lager
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IMCQ120R007M2HXTMA1

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726-IMCQ120R007M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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492Auf Lager

Cut-Tape

CHF 29.21

CHF 25.38

CHF 22.19

Reel

CHF 22.19

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 14.08
431Auf Lager
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IMCQ120R017M2HXTMA1

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726-IMCQ120R017M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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431Auf Lager

Cut-Tape

CHF 14.08

CHF 11.27

CHF 9.75

Reel

CHF 9.75

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.22
1'988Auf Lager
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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1'988Auf Lager

Cut-Tape

CHF 10.22

CHF 8.32

CHF 6.92

CHF 6.17

Reel

CHF 5.26

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 8.34
649Auf Lager
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IMCQ120R034M2HXTMA1

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726-IMCQ120R034M2HXT

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649Auf Lager

Cut-Tape

CHF 8.34

CHF 6.52

CHF 5.44

CHF 4.84

Reel

CHF 4.31

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 8.03
482Auf Lager
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IMCQ120R040M2HXTMA1

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726-IMCQ120R040M2HXT

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482Auf Lager

Cut-Tape

CHF 8.03

CHF 6.09

CHF 5.07

CHF 4.52

Reel

CHF 4.02

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 6.95
405Auf Lager
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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726-IMCQ120R053M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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405Auf Lager

Cut-Tape

CHF 6.95

CHF 5.06

CHF 4.21

CHF 3.75

Reel

CHF 3.34

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 5.93
570Auf Lager
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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570Auf Lager

Cut-Tape

CHF 5.93

CHF 4.43

CHF 3.59

CHF 3.18

Reel

CHF 2.73

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 16.98
666Auf Lager
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R026M2HHX

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666Auf Lager

Cut-Tape

CHF 16.98

CHF 14.48

CHF 12.52

Reel

CHF 12.52

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 13.47
682Auf Lager
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R040M2HHX

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682Auf Lager

Cut-Tape

CHF 13.47

CHF 10.42

CHF 9.01

Reel

CHF 9.01

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.26
404Auf Lager
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IMSQ120R053M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R053M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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404Auf Lager

Cut-Tape

CHF 11.26

CHF 7.89

CHF 7.01

CHF 7.00

Reel

CHF 5.95

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 18.81
150Auf Lager
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IMZA120R012M2HXKSA1

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726-IMZA120R012M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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150Auf Lager

CHF 18.81

CHF 15.39

CHF 13.59

Min.: 1
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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 14.63
210Auf Lager
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IMZA120R017M2HXKSA1

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726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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210Auf Lager

CHF 14.63

CHF 11.72

CHF 10.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.72
230Auf Lager
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IMZA120R026M2HXKSA1

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726-IMZA120R026M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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230Auf Lager

CHF 10.72

CHF 8.01

CHF 6.91

CHF 6.56

CHF 5.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 12.47
150Auf Lager
Neues Produkt

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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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150Auf Lager

CHF 12.47

CHF 9.66

CHF 8.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.00
188Auf Lager
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IMZA120R034M2HXKSA1

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726-IMZA120R034M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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188Auf Lager

CHF 9.00

CHF 7.03

CHF 5.86

CHF 5.23

CHF 4.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 8.41
161Auf Lager
Neues Produkt

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IMZA120R040M2HXKSA1

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726-IMZA120R040M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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161Auf Lager

CHF 8.41

CHF 6.58

CHF 5.48

CHF 4.89

CHF 4.35

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.45
237Auf Lager
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IMZA120R053M2HXKSA1

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726-IMZA120R053M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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237Auf Lager

CHF 7.45

CHF 5.54

CHF 4.62

CHF 4.12

CHF 3.66

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 6.46
198Auf Lager
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IMZA120R078M2HXKSA1

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726-IMZA120R078M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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198Auf Lager

CHF 6.46

CHF 4.56

CHF 3.80

CHF 3.38

CHF 3.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 18.81
664Auf Lager
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IMZC120R012M2HXKSA1

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726-IMZC120R012M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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664Auf Lager

CHF 18.81

CHF 15.39

CHF 13.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 14.63
706Auf Lager
Neues Produkt

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IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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706Auf Lager

CHF 14.63

CHF 11.72

CHF 10.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 10.72
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IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Datenblatt

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CHF 10.72

CHF 8.01

CHF 6.91

CHF 6.56

CHF 5.58

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W