SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

CoolSiC™ 1.200 V G2 Siliciumcarbid -MOSFETs von Infineon Technologies bieten Hochleistungslösungen für Leistungselektronikapplikationen. Diese MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende elektrische Eigenschaften und sehr geringe Schaltverluste aus, was einen effizienten Betrieb ermöglicht. Die 1.200 V G2-MOSFETs sind für Überlastbedingungen ausgelegt, unterstützen einen Betrieb von bis zu 200 °C und können Kurzschlüssen von bis zu 2 ° S standhalten. Diese Bauteile verfügen über eine Gate-Schwellenspannung V_GS(th) von 4,2 V und gewährleisten eine präzise Steuerung. Der CoolSiC MOSFET 1.200 V G2 ist in drei Gehäusen erhältlich, die auf den Stärken der Technologie der 1. Generation aufbauen, um fortschrittliche Lösungen für kostengünstigere, effizientere, kompaktere, einfacher zu entwerfende und zuverlässigere Systeme zu bieten. Die 2. Generation verbessert die Leistungskennzahlen für hart- und weichschaltende Topologien erheblich und ist ideal für alle gängigen Kombinationen derDC/DC-, AC/DC- und DC/AC-Stufen.

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Ergebnisse: 45

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Montageart

Verpackung/Gehäuse

Transistorpolung

Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Handelsname

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 16.02
198Auf Lager
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IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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198Auf Lager

CHF 16.02

CHF 11.97

CHF 10.34

CHF 9.79

CHF 9.16

Min.: 1
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Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.30
235Auf Lager
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IMY120R036AM2HXKSA1

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726-IMY120R036AM2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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235Auf Lager

CHF 11.30

CHF 8.60

CHF 7.16

CHF 6.39

CHF 5.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 35.92
300Auf Lager
480erwartet ab 02.07.2026
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IMZC120R007M2HXKSA1

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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300Auf Lager

480erwartet ab 02.07.2026

CHF 35.92

CHF 30.64

CHF 25.28

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 11.02
192Auf Lager
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IMY120R036CM2HXKSA1

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726-IMY120R036CM2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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192Auf Lager

CHF 11.02

CHF 8.40

CHF 7.00

CHF 6.23

CHF 5.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 38.90
618Auf Lager
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R012M2HHX

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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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618Auf Lager

Cut-Tape

CHF 38.90

CHF 33.18

CHF 27.38

Reel

CHF 27.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 13.67
1’615Auf Lager
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IMZC120R022M2HXKSA1

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726-IMZC120R022M2HXK

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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Datenblatt

1’615Auf Lager

CHF 13.67

CHF 8.43

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 50

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 12.71
1’832Auf Lager
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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726-IMCQ120R026M2HXT

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SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1’832Auf Lager

Cut-Tape

CHF 12.71

CHF 9.67

CHF 8.06

CHF 7.18

Reel

CHF 6.71

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.79
255Auf Lager
750erwartet ab 23.07.2026
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IMCQ120R040M2HXTMA1

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726-IMCQ120R040M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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255Auf Lager

750erwartet ab 23.07.2026

Cut-Tape

CHF 9.79

CHF 7.08

CHF 5.90

CHF 5.26

Reel

CHF 4.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.79
345Auf Lager
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IMCQ120R053M2HXTMA1

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726-IMCQ120R053M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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345Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.79

CHF 5.22

CHF 3.92

CHF 3.63

Reel

CHF 3.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 7.33
866Auf Lager
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Datenblatt

866Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.33

CHF 5.15

CHF 4.17

CHF 3.71

Reel

CHF 3.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 19.93
712Auf Lager
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R026M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Datenblatt

712Auf Lager

Cut-Tape

CHF 19.93

CHF 14.20

CHF 12.63

CHF 11.94

Reel

CHF 11.94

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 16.84
670Auf Lager
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IMSQ120R040M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R040M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Datenblatt

670Auf Lager

Cut-Tape

CHF 16.84

CHF 12.58

CHF 10.88

CHF 10.30

Reel

CHF 9.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: CHF 14.66
283Auf Lager
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IMSQ120R053M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R053M2HHX

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Datenblatt

283Auf Lager

Cut-Tape

CHF 14.66

CHF 11.17

CHF 9.31

CHF 8.30

Reel

CHF 7.75

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 22.88
125Auf Lager
240erwartet ab 13.08.2026
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IMZA120R012M2HXKSA1

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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125Auf Lager

240erwartet ab 13.08.2026

CHF 22.88

CHF 15.77

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 18.21
147Auf Lager
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IMZA120R017M2HXKSA1

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726-IMZA120R017M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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147Auf Lager

CHF 18.21

CHF 13.59

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 15.14
341Auf Lager
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IMZA120R022M2HXKSA1

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726-IMZA120R022M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Datenblatt

341Auf Lager

CHF 15.14

CHF 9.85

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 21.11
210Auf Lager
720Auf Bestellung
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Herst. Teilenr.
IMZC120R012M2HXKSA1

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726-IMZC120R012M2HXK

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Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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Datenblatt

210Auf Lager

720Auf Bestellung

CHF 21.11

CHF 13.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 17.55
244Auf Lager
480erwartet ab 08.07.2026
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R017M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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Datenblatt

244Auf Lager

480erwartet ab 08.07.2026

CHF 17.55

CHF 11.96

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 13.54
483Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R026M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Datenblatt

483Auf Lager

CHF 13.54

CHF 8.77

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 9.94
1’036Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R034M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Datenblatt

1’036Auf Lager

CHF 9.94

CHF 5.97

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 70

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: CHF 8.06
754Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser-Teilenr.
726-IMZC120R053M2HXK

Neues Produkt

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Datenblatt

754Auf Lager

CHF 8.06

CHF 4.75

CHF 4.02

CHF 4.01

CHF 3.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 28.60
1’073Auf Lager
1’000erwartet ab 15.10.2026

Herst. Teilenr.
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Datenblatt

1’073Auf Lager

1’000erwartet ab 15.10.2026

Cut-Tape

CHF 28.60

CHF 21.47

Reel

CHF 21.47

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 10

: 1’000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: CHF 15.26
3’317Auf Lager

Herst. Teilenr.
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser-Teilenr.
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC-MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

3’317Auf Lager

Cut-Tape

CHF 15.26

CHF 10.87

CHF 9.69

CHF 9.57

Reel

CHF 9.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
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CoolSiC

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Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 120

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1.200-V-G2-Siliciumkarbid-MOSFETs

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8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
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55 A
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75 A
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82 A
87 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W