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SCT3030ARC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3030ARC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3030ARC15
Price: 17.79 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-SCT3030ARC15

Herst.- Nr.:

SCT3030ARC15

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

SiC-MOSFETs TO247 650V 70A N-CH SIC

Datenblatt:

SCT3030ARC15 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.6 V
Qg - Gate-Ladung:	104 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	262 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	9.4 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFET's
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	26 ns
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns

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Datenblatt

SCT3030ARC15 Datenblatt

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.