CoolSiC™ G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen, 1200 V

Die CoolSiC™-G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen, 1200 V, von Infineon Technologies bieten eine erhöhte Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und eine verbesserte Zuverlässigkeit. Das granulare Portfolio verfügt über 1.200 V SiC-MOSFETs in TO-247-3 Pin-, TO-247-4 Pin- und D2PAK-7 Pin-Gehäusen mit einem R_{DS (on)} von 8,7 mΩ bis 160 mΩ und ID bei +25 °C, maximal 17 A bis 205 A. Die hohe Leistungsdichte, ein hervorragender Wirkungsgrad, bidirektionale Ladefunktionen und signifikante Reduzierung der Systemkosten machen die CoolSiC™-MOSFET-Module für Fahrzeuganwendungen, 1200 V, von Infineon Technologies zu einer idealen Wahl für On-Board-Ladegerät- und DC/DC-Applikationen. Die TO- und SMD-Komponenten verfügen außerdem über Kelvin-Quellen-Pins für eine optimierte Schaltleistung.