RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

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Menge RoHS
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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41’880Auf Lager
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: 8’000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37’518Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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34’280Auf Lager
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: 4’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5’980Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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1’948Auf Lager
6’000erwartet ab 20.10.2026
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5’983Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5’900Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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2’715Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Datenblatt
5’985Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5’992Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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5’998Auf Lager
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: 3’000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
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6’000Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7’762Auf Lager
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: 4’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5’757Auf Lager
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: 3’000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4’724Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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6’250Auf Lager
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: 4’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
Datenblatt
5’644Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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7’700Auf Lager
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: 4’000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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5’109Auf Lager
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: 3’000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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6’484Auf Lager
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: 3’000

Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
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6’225Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
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3’000Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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11’116Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
Datenblatt
5’779Auf Lager
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: 3’000

Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Datenblatt
7’689Auf Lager
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: 3’000