1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

Ergebnisse: 26
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
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947Auf Lager
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Max.: 20
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
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1’422Auf Lager
Min.: 1
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Max.: 40

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Datenblatt
2’422Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
Datenblatt
918Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
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1’185Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
Datenblatt
1’931Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
Datenblatt
570Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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679Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 80 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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187Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 510 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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1’930Auf Lager
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Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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2’153Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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920Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
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1’182Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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224Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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181Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.3 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 20MW 1200V
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2’164Auf Lager
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Min.: 1
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: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 20MW 1200V
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706Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 203 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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462Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
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84Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 28 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 220 nC - 55 C + 175 C 468 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
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619Auf Lager
800erwartet ab 22.09.2026
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Max.: 800
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 19.5 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 33.8 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
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205Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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183Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
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14Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
Datenblatt
53Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement EliteSiC