CoolSIC SiC-MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datenblatt
909Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datenblatt
599Auf Lager
960erwartet ab 02.03.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datenblatt
128Auf Lager
480erwartet ab 10.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datenblatt
10Auf Lager
1’440Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Datenblatt
4’353erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC