Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden

08.19.2025

- Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

08.19.2025

- MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.

ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor 2SCR579D3 NPN 1,5 A 160 V Leistungstransistor

08.06.2025

- Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.

ROHM Semiconductor 2SAR579D3 1,5 A 160 V PNP-Leistungstransistor

08.06.2025

- Ein Leistungstransistor mit niedrigem VCE(sat); eignet sich als Niederfrequenzverstärker.

ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40 V -40 A P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.06.2025

- Dieser MOSFET ist ein Fahrzeug-Leistungs-MOSFET, der über die AEC-Q101-Qualifikation verfügt.

ROHM Semiconductor RBR40NS SCHOTTKY-Barrieredioden

08.04.2025

- Entwickelt für den Einsatz in Schaltnetzteilen und verfügt über Durchlassstoßstrom von 100 A.

ROHM Semiconductor RQ3P270BLFRA Leistungs-MOSFET

08.04.2025

- MOSFET in Automobilqualität mit AEC-Q101-Qualifizierung in einem HSMT8AG-Gehäuse.

ROHM Semiconductor PBZLx Zener-Dioden

08.04.2025

- Entwickelt für Spannungsregelungsanwendungen und verfügt einen maximalen Leistungsverlust von 1000 mW.

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Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode

04.16.2026

- Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.

onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

04.14.2026

- Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

Vishay RS07x Fast-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.

Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-Gleichrichter

04.07.2026

- Glaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04.02.2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04.02.2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul

04.02.2026

- Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.

Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter, DC/DC-Wandler und Motortreiber.

STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

03.31.2026

- Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal

03.27.2026

- Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.

Infineon Technologies Mehrzweck-Dioden für ESD-Schutz

03.27.2026

- Die Dioden bieten optimalen Schutz bei minimalem Footprint und gewährleisten ein überragendes ESD- Betriebsverhalten.

Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V

03.27.2026

- Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.

RECOM Power RVS002 Micropower Isolated Power Bridge Rectifier

03.24.2026

- Designed for micro-power isolated power supply applications in space-constrained environments.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)

03.20.2026

- Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.

Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS

03.18.2026

- TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.

Vishay XFD11K XClampR® Überspannungsschutzvorrichtungen

03.18.2026

- Bidirektionale Bauteile zur Oberflächenmontage, die für eine hohe Temperaturstabilität und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung

03.17.2026

- Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

03.17.2026

- Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V oder 100 V und sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

Diodes Incorporated DTHP60B07PT 60 A Hyperschnelle Planar-Gleichrichter

03.13.2026

- Verfügen über eine Sperrspannung von 650 V, einen niedrigen Durchlass-Spannungsabfall und eine extrem schnelle Sperrverzögerung.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

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