IXYS Neueste SiC-MOSFETs
Angewendete Filter:
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
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Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 750 V G2 MOSFETs
12.19.2025
12.19.2025
Entwickelt, um die strengen Anforderungen von Applikationen (EV) zu erfüllen.
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
12.04.2025
12.04.2025
Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.
Central Semiconductor 1700 V n-Kanal-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC)
11.20.2025
11.20.2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
Infineon Technologies CoolSiC™ 1.400-V-SiC-G2-MOSFETs
10.09.2025
10.09.2025
Verbessertes Betriebsverhalten, erhöhte Leistungsdichte und gesteigerte Zuverlässigkeit.
Microchip Technology 1200 V SIC-MOSFETs
09.25.2025
09.25.2025
Die MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad in einer leichteren, kompakteren Lösung mit schnellen Schaltgeschwindigkeiten.
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs
09.19.2025
09.19.2025
Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V
08.27.2025
08.27.2025
Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
onsemi NXVF6532M3TG01 EliteSiC-H-Brücken-Leistungs-MOSFET mit 650 V
08.08.2025
08.08.2025
Die Bauteile bieten einen überlegenen Wirkungsgrad, schnelles Schalten und robustes Betriebsverhalten.
ROHM Semiconductor SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs
07.14.2025
07.14.2025
Verfügen über 1.200 VDS, einen niedrigen On-Widerstand, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine schnelle Recoveryzeit.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06.03.2025
06.03.2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05.22.2025
05.22.2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETs
04.17.2025
04.17.2025
Bieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET
03.06.2025
03.06.2025
Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.
onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02.20.2025
02.20.2025
Liefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V.
onsemi NTBL032N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs
02.20.2025
02.20.2025
Für schnelle Schaltapplikationen ausgelegt, die eine zuverlässige Leistung bieten.
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET
02.18.2025
02.18.2025
Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.
SemiQ GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET Diskrete Bauteile
01.02.2025
01.02.2025
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
09.06.2024
09.06.2024
Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
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