UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC-FETs

Die SiC-FETs von Onsemi  UF4C/SC 1.200 V Gen 4 sind eine Hochleistungsserie, die die branchenweit besten Leistungszahlen (Figures of Merit) liefert. Die UF4C/SC 1.200 V Gen 4 SiC FETs sind ideal für Mainstream 800 V Bus-Architekturen in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte, industrielle Stromversorgungen, erneuerbare Energien, Energiespeicherung, Schweißmaschinen, USV und Induktionsheizungsanwendungen. Die Baureihe der 4. Generation ist in Optionen von 23 mΩ bis 70 mΩ erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskodenkonfiguration, bei der ein leistungsstarker SiC-JFET mit einem kaskodenoptimierten Si-MOSFET in einem Gehäuse kombiniert wird, um ein SiC-Bauteil mit Standard-Gate-Drive zu erstellen. Diese Eigenschaft ermöglicht ein flexibles Design ohne Änderung der Gate-Treiberspannung, so dass Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs oder Si Super-Junction-Bauelemente problemlos ersetzt werden können.

Ergebnisse: 11
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
759Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO24
Datenblatt
728Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
390Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
513Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
Datenblatt
374Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/53MOSICFETG4TO247-3
Datenblatt
294Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 67 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 263 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG4TO247-3
Datenblatt
280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27.5 A 91 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 217 W SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO24
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs UF4C120053B7S
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 53 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs UF4C120070B7S
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25.7 A 72 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V - 55 C + 175 C 183 W Enhancement SiC FET