SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
1'247Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Datenblatt
1'292Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide MOSFET, N-Channel - EliteSiC ,21mohm, 650V, M2, TO247-4L
Datenblatt
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC-MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
Datenblatt
35Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
3'980Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
Datenblatt
2'549Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 224 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 34 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement EliteSiC


Coherent SiC-MOSFETs 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Datenblatt
139Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 24.3 mOhms - 20 V, + 20 V 2.8 V 172 nC - 55 C + 200 C 660 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
192Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
Datenblatt
402Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Datenblatt
1'175Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Datenblatt
495Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
Toshiba SiC-MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
Datenblatt
374Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 182 mOhms - 10 V, + 25 V 5 V 46 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
1'263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Datenblatt
569Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/23MOSICFETG4TO247-4
Datenblatt
768Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement SiC FET

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 650V
Datenblatt
776Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 750V/23MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
812Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC
Datenblatt
513Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 26A N-CH SIC
Datenblatt
584Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 26 A 81 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 64 nC + 175 C 115 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 750V/33MOSICFETG4TO263-7
Datenblatt
490Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
1'356Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
Datenblatt
2'008Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
Datenblatt
758Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Datenblatt
430Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC