Neueste Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08.20.2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker

12.11.2025

- Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11.24.2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler

11.18.2025

- Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.

ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode

11.18.2025

- Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11.03.2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09.26.2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

08.19.2025

- MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.

ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

08.19.2025

- AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID

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Filtern nach:

Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)

08.25.2026

- These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.

Espressif Systems ESP32-S31-Function-CoreBoard-1 Development Board

08.25.2026

- Connected AIoT development board with Wi-Fi 6, Bluetooth 5.4, IEEE 802.15.4, and Gigabit Ethernet.

Apex Microtechnology PA168 High Voltage Power Operational Amplifiers

08.25.2026

- Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.

STMicroelectronics 5.1MP CMOS Image Sensors

08.25.2026

- 5.1MP RGB-NIR and monochrome CMOS image sensors with hybrid shutter operation.

Infineon Technologies XENSIV™ TLE4978 Current Sensor Evaluation Boards

08.25.2026

- These boards simplify testing of the TLE4978 high-bandwidth, high-precision current sensors.

onsemi 80V Single N-Channel Power MOSFETs

08.25.2026

- Offer low RDS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

NXP Semiconductors FRDM-A-S32K358 Development Board

08.25.2026

- For general-purpose industrial and automotive applications built around the S32K358 MCU.

Apex Microtechnology PA169 Dual High Voltage Operational Amplifiers

08.25.2026

- Houses two independent 200V, 4A peak operational amplifier (PA167) circuits.

NXP Semiconductors FS04 High Voltage Safety PMICs

08.25.2026

- Automotive multi-output PMICs with ASIL B/D safety support for S32N systems.

NXP Semiconductors KITFS0400A0EVM Evaluation Board

08.25.2026

- Soldered FS04 evaluation board with PF53 PMICs, FRDM-KL25Z bridge, and NXP GUI support.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

08.25.2026

- Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board

08.25.2026

- Multimedia development board for smart audio and HMI applications.

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate Drivers

08.25.2026

- Designed to enable gallium nitride (GaN) and silicon (Si) power designs on the same PCB.

NXP Semiconductors KITFS0400SKTEVM Evaluation Board

08.25.2026

- Socketed FS04 evaluation board with FRDM-KL25Z bridge and OTP programming support.

Apex Microtechnology PA167 High Voltage Power Operational Amplifiers

08.25.2026

- Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.

Toshiba DCL32xx00 Low Power Dual Channel Digital Isolators

08.24.2026

- These devices comply with UL 1577 and have a 3000Vrms withstand-isolation-voltage rating.

Toshiba TCKE1401NM 75V 6A eFuse IC

08.24.2026

- A high-input voltage single-input single-output eFuse IC that can be used as a reusable fuse.

Texas Instruments ISOTMP35R/-Q1 Analog Temperature Sensors

08.24.2026

- Reinforced isolated analog temperature sensors with fast thermal response.

Infineon Technologies XENSIV™ TLE49012 / TLI49012 Magnetische Winkel- Sensoren

08.20.2026

- Hochpräzise digitale Winkel-Sensoren mit extrem niedriger Latenz sowie Fähigkeiten auf und außerhalb der Achse.

Renesas Electronics PTX205R NFC Controller

08.20.2026

- Highly integrated, mid-power NFC controller for NFC Forum applications.

ROHM Semiconductor BD9B306ANF-Z DC/DC Converter

08.20.2026

- Single synchronous buck DC/DC converter with built-in low-on-resistance power MOSFETs.

Toshiba TXZ+™ TMPM4L Arm® Cortex®-M4 MCUs

08.19.2026

- Integrates dedicated hardware and security functions for single-motor control applications.

Power Integrations RDK-994Q Reference Design Kit

08.19.2026

- 35W ultra-low-profile traction inverter gate-drive or emergency power supply.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08.19.2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

STMicroelectronics IPS1270H Single-Channel High-Side Switch

08.19.2026

- Monolithic device intended for driving any load with one side connected to ground.

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