Neueste Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von Halbleitern

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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule

04.10.2026

- Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.

ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen

03.17.2026

- Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.

ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker

12.11.2025

- Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.

ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker

11.24.2025

- Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.

ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode

11.18.2025

- Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.

ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler

11.18.2025

- Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.18.2025

- Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.

ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs

11.03.2025

- Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.

ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

10.17.2025

- Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.

ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

10.16.2025

- AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.

ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs

09.26.2025

- Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard

08.27.2025

- Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs

08.21.2025

- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

08.21.2025

- Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.

ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode

08.21.2025

- Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.

ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs

08.21.2025

- Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.

ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard

08.21.2025

- Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.

ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode

08.20.2025

- Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.19.2025

- Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.

ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs

08.19.2025

- Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.

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Filtern nach:

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter

08.12.2026

- Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.

Murata LBMA0ZZ2NR-EVK Evaluationskit

08.12.2026

- Ein Evaluierungs- und Applikations-Evaluierungskit für das Modul Typ 2NR (LBMA0ZZ2NR-001).

Abracon ABFBxx Clock Buffers

08.12.2026

- Ultra-low-jitter fanout buffers for PCIe, clock trees, and communications systems.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

u-blox EVK-X20D GNSS Evaluation Kit

08.11.2026

- Designed to test the features and capabilities of the ZED-X20D dual-antenna GNSS heading module.

MediaTek Genio 420, 520 und 720 Gen-AI IoT-Plattformen

08.11.2026

- Teil einer Produktfamilie hochmoderner Lösungen für fortschrittliche IoT- Applikationen.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator

08.10.2026

- Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.

STMicroelectronics LDQ44 400 mA Hochgenauer LDO-Spannungsregler

08.10.2026

- Die enthaltenen Funktionen machen den LDQ44 geeignet für stromsparende, batteriebetriebene Applikationen.

Analog Devices Inc. ADM33051E Hochgeschwindigkeits-CAN-FD-Transceiver

08.10.2026

- Ein robuster Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit geringem Stromverbrauch, der mit einer Versorgungsspannung von 3,3 V betrieben wird.

Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs

08.10.2026

- High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.

Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch

08.10.2026

- The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

Sensirion SEK-SEN69C Evaluationskit

08.10.2026

- Evaluierungskit für SEN69C All-in-One-Raumluftqualitätssensoren.

Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluierungsboard

08.06.2026

- Gate-Treiber-Evaluierungsboard für bidirektionale CoolGaN™ Schalterdesigns.

Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Mikrocontroller

08.06.2026

- 32-Bit Steuerungs-MCUs mit Arm® Cortex®-M0 CPU und MATH-Coprozessor.

Infineon Technologies CoolGaN™ BDS-Evaluierungsboards

08.06.2026

- Kompakte Tochterboards zur Evaluierung von bidirektionalen 40 V GaN- Schaltern.

NXP Semiconductors FRDM Automotive Development Platforms

08.05.2026

- Brings automotive-grade hardware and software to deliver secure, safe, and accelerated development.

Texas Instruments TRF2001 ISM-Band-Multiprotokoll- und Wi-SUN-HF-FEM

08.04.2026

- Ein leistungsstarkes HF-FEM für drahtlose Anwendungen mit geringem Stromverbrauch im Sub-1-GHz-Band.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden

08.04.2026

- ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.

Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter

08.04.2026

- Eingebauter 7-Bit-ADC zur Überwachung der Chip-Temperatur des Ausgangsstroms pro Kanal oder der VDD-Versorgungsspannung.

Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard

08.04.2026

- Entwickelt zur Evaluierung des MAX22215 Treibers in Kombination mit dem Trinamic- Evaluierungsboard- System.

NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board

08.04.2026

- Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm.

Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul

08.04.2026

- Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).

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