Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Liechtenstein

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Arten von diskreten Halbleitern

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IXYS SK002xSx Sensitive SCRs

08.27.2026

- Sensitive SCRs with microprocessor drive support and high noise immunity.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs

02.02.2026

- Sie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.

IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit

01.20.2026

- 600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.

IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

10.08.2025

- Isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.

IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETs

09.19.2025

- Diese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].

IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 V

08.27.2025

- Sperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.

IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für Automobilapplikationen

04.14.2025

- Verfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.

IXYS DCK SiC SCHOTTKY-Dioden

04.03.2025

- Bietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.

IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-Diodenmodul

03.25.2025

- Das 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.

IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFET

03.06.2025

- Einzelschalter-MOSFET mit einem 1200 V, 30 mΩ 79 A industrietauglichen Gerät in einem TO263-7L-Gehäuse.

IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET

02.27.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.

IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFET

02.18.2025

- Der 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.

IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETs

11.28.2024

- Bieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.

IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle Freilaufdioden

11.22.2024

- Zwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.

IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.

07.25.2024

- Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.

IXYS DPF30U200FC 200 V 30 A 3-Phasen-Brückengleichrichter

07.22.2024

- Dieses Bauteil wird häufig als Gleichrichter in Schaltnetzteilen (SMPS) verwendet.

IXYS DSEP60-06AZ 600 V Schnelle 60 A Freilaufdiode

07.08.2024

- Eine leistungsstarke, verlustarme Einzeldiode mit Soft-Recovery in einem TO-268AA-Gehäuse (D3PAK-HV).

IXYS SRU6008DS2RP Empfindlicher SCR

02.19.2024

- Ein 600 V SCR mit hoher Vorwärtssperre, der sich hervorragend für Hochspannungs-Kondensatorentladungsapplikationen eignet.

IXYS MCMA140P1600TA-NI Thyristormodule

01.18.2024

- Verfügt über planar passivierte Chips und einen direkten kupfergebundenen AI2O3-Keramik für Leitungsfrequenz.

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Filtern nach:

IXYS SK002xSx Sensitive SCRs

08.27.2026

- Sensitive SCRs with microprocessor drive support and high noise immunity.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

08.25.2026

- Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

onsemi 80V Single N-Channel Power MOSFETs

08.25.2026

- Offer low RDS(on) to minimize conduction losses & low QG and capacitance to minimize driver losses.

STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08.19.2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08.17.2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08.17.2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08.14.2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08.14.2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08.14.2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter

08.12.2026

- Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08.12.2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor

08.11.2026

- Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor

08.10.2026

- Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.

STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

08.10.2026

- Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD-Schutzdioden

08.04.2026

- ESD-Schutzdioden für Netzwerke CAN, CAN FD, CAN SIC und CAN XL im Fahrzeugbereich.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs

07.21.2026

- Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.

IXYS DK010S3ARP 1000 V 10 A Gleichrichter

07.20.2026

- Verfügt über glaspassivierte Übergänge für erhöhte Stabilität und ist in einem DO-214AB-Gehäuse untergebracht.

IXYS DK610S3RP Universal- Gleichrichterdiode

07.20.2026

- Platzsparend, ideal für die automatisierte Bestückung und bestens geeignet für DC- Applikationen.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Bourns CDDFN2 TVS-Dioden zur Oberflächenmontage

07.07.2026

- ESD, EFT und Überspannungsschutz für externe Anschlüsse elektronischer Bauteile zur Begrenzung kritischer Schäden.

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode

06.30.2026

- Einphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06.29.2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse TVS Arrays Diodenarrays

06.26.2026

- TVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.

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