Neu Spannungsversorgungs-Management-ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 Gate-Treiber sind so konzipiert, dass sie Galliumnitrid(GaN)- und Silizium(Si)-Leistungsdesigns auf derselben PCB ermöglichen. Diese 120-V-Gate-Treiber mit gleichem Footprint treiben Dual-Low-Side-, Dual-High-Side- oder Halbbrückenkonfigurationen von Si-MOSFETs oder Anreicherungstyp-GaN-Transistoren an. Die 2EDL90xG3 Module beinhalten zwei vollständig potentialfreie Ausgangs-Gate-Treiber, die besonders nützlich für Schaltkondensator- und Multilevel-Topologien sind. Fünf konfigurierbare Eingangsmodi können mittels eines einfachen Pull-Down-Widerstands ausgewählt werden und umfassen den Tri-State-PWM-Einzelmodus, den HSCC LS-Modus, den HSCC HS-Modus den Hi/Li-Modus und den invertierten Hi/Li-Modus. Die EiceDRIVER 2EDL90xG3 Gate-Treiber von Infineon Technologies verfügen über ein 16-Pin-Gehäuse von 3 mm x 3 mm und sind für Industrieapplikationen gemäß den JEDEC 47/20/22-Standards zugelassen.