Neu Gate-Treiber

Die NCV84003G High-Side-eFuse von onsemi ist ein vollständig geschützter Einkanal-High-Side-Treiber, der mechanische Sicherungen ersetzen und Strom in einer intelligenten Stromverteilungsarchitektur liefern kann. Das Bauteil kann auch zahlreiche Lasten schalten, beispielsweise Massekondensatoren, Glühbirnen, Solenoide und andere Aktoren. Das Gerät umfasst fortschrittliche Funktionen, die für zonale Applikationen ausgelegt sind, beispielsweise einen intelligenten, stromsparenden IDLE-Modus, einen dedizierten, kapazitiven Lastlademodus, einstellbare Überstromschwellenwerte und integrierte I2t-Profile zum Ersatz herkömmlicher Schmelzsicherungen. Das Bauteil verfügt auch über eine Übertemperaturabschaltung mit automatischem Latch-Off. Ein Strommesspin am onsemi NCV84003G ermöglicht eine präzise analoge Stromüberwachung, Fehleranzeige und das Auslesen der internen Konfiguration sowie des I2t-Status.
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onsemi NCV84003G High-Side-eFuseDas Bauteil kann mechanische Sicherungen ersetzen und Strom in einer intelligenten Stromverteilungsarchitektur liefern.25.06.2026 -
STMicroelectronics L98GD8E 8-Kanal-MOSFET-VortreiberDas Gerät ist für Low-Side-, High-Side-, Peak-and-Hold- sowie H-Brücken-Laststeuerung konfigurierbar.29.05.2026 -
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete SolutionsFeatures components ideal for energy, industrial, and medical applications.24.04.2026 -
RECOM Power RVP Primary-Side Power ICsSupports input voltages up to 30V and is available in various topologies to meet system needs.01.04.2026 -
onsemi FAD1100-F085 Zünd-Gate-Drive-ICSteuert einen Zünd-IGBT direkt an und regelt sowohl den Spulenstrom als auch den resultierenden Zündfunken.03.03.2026 -
Microchip Technology MCP14T0517 Push-Pull Transformator TreiberKonzipiert für kompakte, isolierte Stromversorgungen die mit einer Eingangsspannung von 3 VDC bis 5.5 VDC betrieben werden.02.02.2026 -
Texas Instruments UCC2773x/-Q1n Halbbrücken Gate-TreiberBietet eine 3,5-A-Quellenstrom- und 4-A-Senkenstrom-Fähigkeit zum Ansteuern von Leistungs-MOSFETs und IGBTs.29.01.2026 -
onsemi NCV84003F Single Channel High Side DriverThe device is used to switch a wide variety of loads, such as bulbs, solenoids, and other actuators.22.01.2026 -
Texas Instruments UCC5713x/UCC5713x-Q1 Low-Side-Gate-TreiberDiese Bauteile eignen sich für die effektive Ansteuerung von MOSFET-, IGBT- und SiC-Leistungsschaltern.24.12.2025 -
STMicroelectronics STDRIVEG612 600 V Halbbrücken-Gate-TreiberHalbbrücken-Gate-Treiber, die für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert sind.19.12.2025 -
STMicroelectronics STDRIVEG212 220 V Halbbrücken-Gate-TreiberHalbbrücken-Gate-Treiber, die für 5-V-gesteuerte, selbstsperrende GaN-HEMTs optimiert sind.19.12.2025 -
Texas Instruments UCC27302A/UCC27302A-Q1 Gate-TreiberEntwickelt für Schaltanwendungen, die eine schnelle Reaktion und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern.19.11.2025 -
Toshiba TB9084FTG Automotive-Gate-Treiber-ICFür bürstenlose Fahrzeugmotoren konzipiert, mit einer Ladepumpe und verschiedenen Arten von Schaltungen ausgestattet.19.11.2025 -
STMicroelectronics STSID140-12 SMD- isolierter Thyristor-TreiberEntwickelt, um eine robuste, effiziente Auslösung von Leistungs-Thyristoren in Industrie- & Verbraucheranwendungen zu ermöglichen.28.10.2025 -
Texas Instruments UCC27212A-Q1 Gate-TreiberDer Treiber wurde für Fahrzeuganwendungen mit hohem Wirkungsgrad und robustem Betriebsverhalten in verschiedenen Applikationen entwickelt.09.10.2025 -
Texas Instruments UCC21351x-Q1 Gate-TreiberErmöglicht einen hohen Wirkungsgrad, Hochleistungsdichte und Robustheit in einer Vielzahl von Leistungsapplikationen.09.10.2025 -
Infineon Technologies EiceDRIVER 1ED301xMC12I GATE-Treiber-ICsOptokompatible, galvanisch getrennte Einkanal-Gate-Treiber für IGBT, Si oder SiC MOSFET.30.09.2025 -
Texas Instruments LMG3626 700 V 220 mΩ GaN-FETKombiniert GATE -Treiber Schutz und Stromsensoren in einem einzigen 8 mm x 5,3 mm QFN- Paket.29.09.2025 -
Texas Instruments LMG2656 650 V GaN Power-FET HalbbrückeVereinfacht das Design, reduziert die Anzahl der Bauteile und spart Platz auf dem Board in einem 6 mm mal 8 mm QFN-Gehäuse.09.09.2025 -
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-TreiberSpeziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.04.09.2025 -
STMicroelectronics STDRIVEG210n Halbbrücken Gate-TreiberFür N-Kanal-Enhancement-Mode-GaN, der High-Side-Treiberabschnitt hält einer Spannungsschiene von bis zu 220 V stand.28.08.2025 -
STMicroelectronics STDRIVEG211n Halbbrücken Gate-TreiberFür N-Kanal-Enhancement-Mode-GaN, der High-Side-Treiberabschnitt hält einer Spannungsschiene von bis zu 220 V stand.28.08.2025 -
STMicroelectronics L98GD8 MOSFET-Vortreiber für FahrzeuganwendungenKonfigurierbar für Niederspannungs-, Hochspannungs-, Spitzenwert- und Halte- sowie H-Brücken -Lastregelung.18.08.2025 -
EPC EPC23102 100V 35A ePower™ Stage ICCombines core blocks and eGaN® output FETs into a single monolithic IC in a 3.5mm x 5mm QFN package.01.08.2025 -
Texas Instruments UCC27624V/UCC27624V-Q1 Zweikanalige Gate-TreiberDiese Bauteile steuern MOSFET-, IGBT- und SiC-Leistungsschalter effektiv an.19.06.2025 -
