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Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC-MOSFET-Module der C-Baureihe

EasyPACK™ CoolSiC-MOSFET-Module der C-Baureihe von Infineon Technologies kombinieren CoolSiC Trench-MOSFETs der zweiten Generation mit der Plattform der Easy C-Baureihe mit niedriger Induktivität undXT-Verbindungstechnologie. Diese Module von Infineon zeichnen sich durch extrem geringe Schaltverluste, eine präzisere Steuerung parasitärer Effekte und eine verbesserte Robustheit bei Stromzyklen aus. Robuste PressFIT Pins, integrierte NTC-Abtastung, integrierte Montageklemmen und hohe CTI-Isolierung optimieren die Bestückung und unterstützen anspruchsvolle Einsatzprofile. Die Baureihe ist in den Topologien 4-Pack (F4) und 3-Level (F3) erhältlich und wird in den Widerstandsklassen 8 mΩ und 13 mΩ angeboten, um Benutzern dabei zu helfen, die Schaltfrequenz zu erhöhen, die Magnetkomponenten zu verkleinern und die Leistungsdichte zu steigern, ohne dabei die EMI-Leistung und die thermischen Grenzwerte zu beeinträchtigen.

Merkmale

  • 1.200-V-CoolSiC-MOSFET-M2-Trench-Technologie mit reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten
  • Modularchitektur der EasyPACK C-Baureihe mit niedriger Induktivität zur Minimierung von Überschwingen, Nachschwingen und EMI
  • Höherer Wirkungsgrad und größerer Frequenzspielraum – niedrige EON/EOFF und niedrige Streuinduktivität ermöglichen sauberere Transienten und kleinere Magnetkomponenten ohne Leistungseinbußen
  • Lebensdauer durch Design – .XT-Verbindungstechnologie verstärkt die mechanische und thermische Robustheit für eine verbesserte Lastwechselfestigkeit und einen erweiterten Betriebstemperaturbereich
  • 8 mΩ und 13 mΩ Widerstandsklassen
  • Großer, sicherer Betriebsbereich und Qualifizierung für den industriellen Einsatz
  • Vorhersagbare Steuerung und Schutz – Verbesserungen am CoolSiC Gen2-Gate-Oxid und integrierte NTC-Temperaturerfassung unterstützen ein stabiles Verhalten über den gesamten Temperaturbereich.
  • Lötfreie, reproduzierbare Builds – PressFIT-Anschlüsse und integrierte Montageklemmen beschleunigen die Produktion und erhöhen die mechanische Zuverlässigkeit
  • Skalierbare Plattform – konsistenter Easy 2C-Footprint und Pin-Philosophie bei 4-Pack- und 3-Level-Varianten vereinfachen die Wiederverwendung und Aktualisierung von Layouts
  • Isolierung mit hohem CTI-Wert mit optimierter Kriech-/Luftstrecke für 1.200-V- Applikationen

Applikationen

  • EV-DC-Schnellladen und industrielle DC-Ladegeräte (PFC und DC/DC-Stufen)
  • Isolierte und nicht isolierte Hochfrequenz-DC/DC-Wandler (LLC, PSFB und ähnliche)
  • Solar-/ESS-Stringwechselrichter und 3-Level-NPC/T-Typ-Stufen
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) und Hochleistungs-Industrienetzteile
  • Industrieantriebe und Hilfstraktionsumrichter

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Ressourcen

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Teilnummer Datenblatt If - Durchlassstrom Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Typische Einschaltverzögerungszeit Regelabschaltverzögerungszeit
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 Datenblatt 50 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Datenblatt 55 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 F413MXTR12C1M2H11BPSA1 Datenblatt 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 48 ns
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 Datenblatt 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 39 ns
F48MXTR12C2M2H11BPSA1 F48MXTR12C2M2H11BPSA1 Datenblatt 55 A 95 A 16.8 mOhms 47 ns 52.8 ns
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 Datenblatt 55 A 100 A 16.8 mOhms 47 ns 46.1 ns
Veröffentlichungsdatum: 2026-04-17 | Aktualisiert: 2026-06-19