Infineon Technologies EasyPACK™ C- Baureihe CoolSiC MOSFETs Module
Infineon Technologies EasyPACK™ C Baureihe CoolSiC MOSFETs Module kombinieren CoolSiC der zweiten Generation Trench MOSFETs mit dem niedrigen Induktivität Easy C Baureihe Plattform undXT Verbindungstechnologie. Diese Module von Infineon zeichnen sich durch extrem geringe Schaltverluste, eine präzisere Steuerung parasitärer Effekte und eine verbesserte Robustheit bei Stromzyklen aus. Robustes PressFIT Pins, integrierte NTC-Sensorik, integrierte Montageklemmen und hoher CTI Isolierung optimieren Bestückung und unterstützen anspruchsvolle Missionsprofile. Der Baureihe ist in den Topologien 4er-Pack (F4) und 3-level (F3) erhältlich und wird in den Klassen 8mΩ und 13mΩ Widerstand angeboten, um Benutzern zu helfen, Schaltfrequenz zu erhöhen, Magnetik zu verkleinern und Leistungsdichte zu steigern, während gleichzeitig EMI Betriebsverhalten und die thermische Marge erhalten bleiben.
Merkmale
- 1.200 V CoolSiC MOSFET M2-Trench-Technologie mit reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten
- EasyPACK C-Serie: Modularchitektur mit niedriger Induktivität zur Minimierung von Überschwingen, Schwingungen und elektromagnetischen Störungen
- Höherer Wirkungsgrad und größerer Frequenzspielraum – niedrige Ein-/Ausschaltspannungen und geringe Streuinduktivität ermöglichen sauberere Transienten und kleinere Magnetbauteile ohne Betriebsverhalten
- Lebensdauer durch Design – .XT Verbindungsechnologie verstärkt die mechanische und thermische Robustheit für verbesserte Leistungszyklen- Fähigkeit und erweitert denBetriebstemperaturbereich
- 8 mΩ und 13 mΩ Widerstand
- Großer sicherer Wirkbereich und Qualifizierung für den industriellen Einsatz
- Vorhersagbare Steuerung und Schutz – Verbesserungen am CoolSiC Gen2-GATE-Oxid und integrierte NTC-Temperatursensorik unterstützen ein stabiles Verhalten über den gesamten Temperaturbereich.
- Lötfreie, reproduzierbare Fertigung – PressFIT-Anschlüsse und integrierte Montageklemmen beschleunigen die Produktion und erhöhen die mechanische Zuverlässigkeit
- Skalierbare Plattform – konsistenter Easy 2C Footprint und Pin-Philosophie bei vier Pack- und 3-level-Varianten vereinfachen die Wiederverwendung und den Ausbau von Layouts
- Hochwertige CTI -Isolierung mit optimierter Kriechstrecke/Luftstrecke für 1.200 V Applikationen
Applikationen
- EV DC Schnellladung und industrielle DC Ladegeräte (PFC und DC/DC Stufen)
- Hochfrequenz isolierte und nicht isolierte DC/DC -Wandler (LLC, PSFB und ähnliche)
- Solar-/ESS-String- Umrichter und 3-level NPC/T-Stufen
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS) und Hochleistungs-Industrie-Stromversorgungen
- Laufwerke und Wandler
Verwandte MOSFET-Module
Infineon Technologies EasyPACK™ CoolSiC™ Trench-MOSFET-Module
Verfügen über die PressFIT-Kontakttechnologie und einen integrierten NTC-Temperatursensor.
Infineon Technologies 1.200-V-CoolSiC™-Module
Verfügen über eine hohe Stromdichte und ein Design mit niedriger Induktivität mit NTC- und PressFIT-Kontakttechnologie.
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| Teilnummer | Datenblatt | If - Durchlassstrom | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Typische Einschaltverzögerungszeit | Regelabschaltverzögerungszeit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 |  |
50 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 48 ns |
| F48MXTR12C2M2H11BPSA1 | |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 52.8 ns |
| F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | |
55 A | 100 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 46.1 ns |
| F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 39 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2026-04-17
| Aktualisiert: 2026-04-21