onsemi NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode
Die NDSH40120C-F155 Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der NDSH40120C-F155 verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Diese EliteSiC Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und eine einfache Parallelschaltung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Zu den Applikationen gehören Universal-Applikationen, SNT, Solar-Wechselrichter, USV und Leistungsschaltkreise.Merkmale
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- 251 mJ von Avalanche bewertet, Einzelimpuls
- Hohe Stromstoßfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
- Vereinfachte Parallelschaltung
- Keine Sperr-/Durchlassverzögerung
- TO-247-2LD-Gehäuse
- Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Universal
- Schaltnetzteile (SMPS), Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Leistungsschaltkreise
Technische Daten
- 1200 V Maximale periodische Spitzensperrspannung
- 40 A bis 46 A maximaler kontinuierlicher gleichgerichteter Durchlassstrombereich
- Maximaler Durchlass-Stoßstrom
- 1274 A bis 1295 A nicht-repetitiver Spitzenbereich
- 195 A Nicht-repetitiv
- 73 A repetitiv
- Maximaler Leistungsverlust
- 366 W at +25 °C
- 61 W at +150 °C
- Typischer Durchlassspannungsbereich: 1,41 V bis 1,9 V
- 200 µA maximaler Rückstrom
- Typische kapazitive Gesamtladung: 184 nC
- Typischer Gesamtkapazitätsbereich: 115 pF (bei 800 V) bis 2840 pF (bei 1 V)
- Maximaler thermischer Widerstand
- Sperrschicht-zu-Gehäuse: 0,41°C/W
- Sperrschicht-zu-Umgebungstemperatur: 40 °C/W
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-09
| Aktualisiert: 2024-06-19
