Neu Diskrete Halbleiter

Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
Die 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs von Texas Instruments wurden entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten. Diese MOSFETs sind Feldeffekttransistoren in einem Kunststoffgehäuse mit niedriger Gate-Schwellenspannung und niedriger Eingangskapazität. Die 2N7002L N-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 6 V, eine Gate-Source-Spannung von 7 V, einen Quellenstrom von 1,4 A und einen gepulsten Drainstrom von 1,43 A (tp = 1 s) aus. Diese MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -65 °C bis 150 °C und beinhalten eine Löttemperatur von 260 °C. Typische Applikationen sind Unterhaltungselektronik, Gebäudeautomation und Industrieautomatisierung.