Neu Diskrete Halbleiter

Die Semtech RCLAMP2891PQ TVS-Diode ist eine RailClamp TVS-Diode mit niedriger Kapazität, die zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor elektrostatischer Entladung (ESD) und elektrischer Überbeanspruchung (EOS) vorgesehen ist. Diese Diode unterstützt eine Betriebsspannung von 28 V und bietet eine niedrige Kapazität von0,40 pF, wodurch die Signalqualität in HF-, Antennen- und Kamera-Applikationen nur minimal beeinträchtigt wird. Die RCLAMP2891PQ Diode ist für den einphasigen Hochgeschwindigkeitsschutz mit einem niedrigen dynamischen Widerstand von 1,8Ω (typisch) optimiert. Diese Diode ist in einem kompakten 2‑Pin-DFN‑Gehäuse mit den Maßen 1 mm x 0,6 mm x 0,50 mm untergebracht und eignet sich daher für platzbeschränkte Designs. Die RCLAMP2891PQ TVS-Diode ist AEC‑Q101-qualifiziert und eignet sich daher für Fahrzeuganwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern.
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Semtech RCLAMP2891PQ TVS DiodeEinphasige 28-V-TVS-Diode mit extrem niedriger Kapazität schützt Hochgeschwindigkeits-Signalleitungen vor ESD und EOS.30.06.2026 -
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky DiodeOffers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.29.06.2026 -
Littelfuse TVS Arrays DiodenarraysTVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.26.06.2026 -
Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in AutomobilqualitätBidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.26.06.2026 -
Bourns CDSOD323-TxxSC-Q TVS DiodesOffer a selection of voltage options from 3V to 36V in a bidirectional configuration.25.06.2026 -
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-DiodeGerät mit niedriger Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzleitungen entwickelt wurde.22.06.2026 -
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETsZeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.19.06.2026 -
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETsBased on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.18.06.2026 -
Infineon Technologies EasyPACK™ S-ModuleEffiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.12.06.2026 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für FahrzeugeFortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.27.05.2026 -
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETsEntwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.18.05.2026 -
Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur OberflächenmontageBietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.12.05.2026 -
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für FahrzeuganwendungenLeistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.06.05.2026 -
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-DiodenSpeziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.04.05.2026 -
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-DiodenSpitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.04.05.2026 -
Littelfuse AK-FL TVS-DiodenAxial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.04.05.2026 -
Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen-Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.24.04.2026 -
Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für HochtemperaturanwendungenDas Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.24.04.2026 -
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete SolutionsFeatures components ideal for energy, industrial, and medical applications.24.04.2026 -
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky DiodeDesigned for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.16.04.2026 -
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFETOptimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.14.04.2026 -
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-LeistungsmoduleDie TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.10.04.2026 -
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-GleichrichterGlaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.07.04.2026 -
Vishay RS07x Fast-Recovery-GleichrichterGlaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.07.04.2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07.04.2026 -
