Neu Diskrete Halbleiter

Semtech RCLAMP2891PQ TVS Diode is a low-capacitance RailClamp TVS diode designed to protect high‑speed signal lines from Electrostatic Discharge (ESD) and Electrical Over-Stress (EOS). This diode supports 28V working voltage and offers 0.40pF low capacitance, ensuring minimal impact on signal integrity in RF, antenna, and camera applications. The RCLAMP2891PQ diode is optimized for high‑speed single-line protection with a low dynamic resistance of 1.8Ω (typical). This diode is housed in a compact 2‑lead DFN 1mm x 0.6mm x 0.50mm package, which is suitable for space‑constrained designs. The RCLAMP2891PQ TVS diode is AEC‑Q101 qualified, making it suitable for automotive applications requiring high reliability.
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Semtech RCLAMP2891PQ TVS DiodeUltra-low capacitance 1-line, 28V TVS diode, protects high‑speed signal lines from ESD and EOS.30.06.2026 -
Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky DiodeOffers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.29.06.2026 -
Littelfuse TVS Arrays DiodenarraysTVS-Diodenarrays für Überspannungsschutz, ESD und EFT an Daten- und Energie-Schnittstellen.26.06.2026 -
Bourns CDSOD323-T24LC-Q TVS-Dioden in AutomobilqualitätBidirektionale Automotive-Grade TVS-Dioden in einem kompakten SOD-323-Gehäuse.26.06.2026 -
Diodes Incorporated D3V3ZF1BD2CSP Bidirektionale TVS-DiodeGerät mit niedriger Kapazität, das speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzleitungen entwickelt wurde.22.06.2026 -
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETsZeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.19.06.2026 -
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETsBased on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.18.06.2026 -
Infineon Technologies EasyPACK™ S-ModuleEffiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.12.06.2026 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für FahrzeugeFortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.27.05.2026 -
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETsEntwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.18.05.2026 -
Bourns CDSOT23-SM712-Q TVS-Diode zur OberflächenmontageBietet Schutz für Datenanschlüsse gemäß IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 und IEC 61000-4-5.12.05.2026 -
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für FahrzeuganwendungenLeistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.06.05.2026 -
Littelfuse TP1KSMB-FL FlatSuppressX™ TVS-DiodenSpeziell ausgelegt, um empfindliche elektronische Geräte vor Spannungstransienten zu schützen.04.05.2026 -
Littelfuse TP5.0SMD-FL FlatSuppressX™ TVS-DiodenSpitzenimpulsleistung von 5000 W bei Verwendung einer 10/1000 µs Wellenform und einer Verlustleistung von 6,5 W.04.05.2026 -
Littelfuse AK-FL TVS-DiodenAxial bedrahtete, flache und bidirektionale FlatSuppressX™ TVS-Dioden mit niedriger Klemmspannung.04.05.2026 -
Littelfuse SJx08x SCRs für Hochtemperaturanwendungen-Mit einer Spannung von bis zu 800 V, einer Stromstoßfestigkeit von bis zu 100 A und einer Temperaturbeständigkeit von bis zu +150 °C.24.04.2026 -
Littelfuse QVx35xHx Alternistor-TRIACs für HochtemperaturanwendungenDas Bauteil bietet einen Nennstrom von 35 A und ist in einem Gehäuse des Typs TO-220AB, TO-220 isoliert und TO-263 erhältlich.24.04.2026 -
RECOM Power ICs, Transformers, & Discrete SolutionsFeatures components ideal for energy, industrial, and medical applications.24.04.2026 -
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky DiodeDesigned for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.16.04.2026 -
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFETOptimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.14.04.2026 -
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-LeistungsmoduleDie TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.10.04.2026 -
Vishay S07x-M Standard-Hochspannung-Recovery-GleichrichterGlaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 1000 V.07.04.2026 -
Vishay RS07x Fast-Recovery-GleichrichterGlaspassivierte oberflächenmontierte Gleichrichter mit einer maximalen VRRM zwischen 100 V und 800 V.07.04.2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07.04.2026 -
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFETDual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.06.04.2026 -
