Neu Diskrete Halbleiter

IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
Der IXYS IXSH65N120L3KHV SiC MOSFET ist ein ist ein SiC-MOSFET mit 1200 V der drittenGeneration, der für hocheffiziente Stromumwandlung und Anwendungen mit schnellen Schaltvorgängen entwickelt wurde. Dieses MOSFET bietet einen Dauersenkenstrom von 67 A und einen niedrigen RDS(on) von 35 mΩ (typisch), was zu geringeren Leistungsverlusten und einem verbesserten Systemwirkungsgrad führt. Der IXSH65N120L3KHV MOSFET zeichnet sich durch eine hohe Sperrspannungskapazität, eine niedrige Kapazität und eine ultraschnelle intrinsische Body-Diode für hervorragende Schaltleistung aus. Die Kelvin-Quellenverbindung trägt dazu bei, Schaltverluste zu minimieren und die Gate-Treiber-Steuerung zu verbessern. Der IXSH65N120L3KHV SiC- MOSFET eignet sich hervorragend für anspruchsvolle Applikationen wie Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Motorantriebe DC/DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und Schaltnetzteile.