Neu Transistoren
Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs aus. Darüber hinaus bieten diese MOSFETs einen maximalen Leistungsverlust von 208 W (Tc = 25 °C) und einen Dauersenkenstrom von 51 A (Tc = 25 °C). Die MXP075 MaxSiC 750-V-n-Kanal-MOSFETs von Vishay Semiconductors sind halogenfrei und in einem TO-247AD-4L-Gehäuse untergebracht. Diese MOSFETs werden von Benutzern in Ladegeräten, Hilfsmotorantrieben und DC/DC-Wandlern verwendet.
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Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETsZeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.19.06.2026
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Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETsBased on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.18.06.2026 -
Infineon Technologies EasyPACK™ S-ModuleEffiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.12.06.2026 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für FahrzeugeFortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.27.05.2026 -
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETsEntwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.18.05.2026 -
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für FahrzeuganwendungenLeistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.06.05.2026 -
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFETOptimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.14.04.2026 -
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-LeistungsmoduleDie TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.10.04.2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07.04.2026 -
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFETDual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.06.04.2026 -
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-ModulDieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.02.04.2026 -
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETsIdeal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.31.03.2026 -
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFETEin 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.31.03.2026 -
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 VBietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.27.03.2026 -
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-KanalAnwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.27.03.2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.24.03.2026 -
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.20.03.2026 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETsDies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(ON)].17.03.2026 -
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten ModulenMit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.17.03.2026 -
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere SpannungDiese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.17.03.2026 -
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETsFür kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.13.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.10.03.2026