ROHM Semiconductor 125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Automotive
Die 125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q100-qualifiziert. Die I2C-BUS-EEPROMs von ROHM verfügen über zwei Ports serieller Takt (SCL) und serieller Daten (SDA), über die alle Steuerungen verfügbar sind. Die EEPROMs werden in einem großen Bereich von 1,7 V bis 5,5 V mit einem möglichen 1 MHz-Betrieb betrieben.
Die I2C-BUS-EEPROMs bieten einen geringen Stromverbrauch, einen Seitenschreibmodus von 32 Byte/64 Byte und ein Bit-Format von 8 K x 8-Bit/16 K x 8-Bit. Die 125 °C I2C-BUS-EEPROMs sind in SOP8-, SOP-J8-, TSSOP-B8-, MSOP8- und VSON008X2030-Gehäusen mit einer Umgebungstemperatur von -40 °C bis +125 °C verfügbar.
Merkmale
- AEC-Q100-qualifiziert
- Alle Steuerungen sind über 2 Anschlüsse mit seriellem Takt (SCL) und seriellen Daten (SDA) verfügbar.
- 1,7 V bis 5,5 V breite Betriebsspannungsgrenze, 1-MHz-Betrieb möglich
- Seitenschreibmodus: 32 Byte/64 Byte
- Bit-Format 8 K x 8 Bit / 16 K x 8 Bit
- Geringe Stromaufnahme
- Verhinderung von Schreibfehlern
- WP (Write Protect)-Funktion hinzugefügt
- Verhinderung von Schreibfehlern bei Niederspannung
- Integrierter Rauschfilter in SCL/SDA-Pin
- Ursprünglicher Auslieferungszustand FFh
- Gehäuse
- 5,0 mm x 6,2 mm x 1,71 mm SOP8
- 4,9 mm x 6,0 MM x 1,65 mm SOP-J8
- 3,0 mm x 6,4 mm x 1,2 mm TSSOP-B8
- 2,9 mm x 4,0 mm x 0,9 mm MSOP8
- 2,0 mm x 3,0 mm x 0,6 mm VSON008X2030
Applikationen
- Automotive-Kamera
- Automotive-Elektronik
Technische Daten
- Schreibzykluszeit: 3,5 ms (max.)
- Versorgungsspannung: 1,7 V bis 5,5 V
- Schreibzyklen
- 4 Millionen Mal (tA = 25 °C)
- 1,2 Millionen Mal (tA = 85 °C)
- 0,5 Millionen Mal (tA = 105 °C)
- 0,3 Millionen Mal (tA = 125 °C)
- Datenhaltung
- 100 Jahre (tA = 25 °C)
- 60 Jahre (tA = 105 °C)
- 50 Jahre (tA = 125 °C)
- -40 °C bis +125 °C Umgebungsbetriebstemperatur
Typische Applikations-Schaltung
Blockdiagramm
Associated EEPROMs
ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch-Leistungs-MOSFET
Bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V mit niedrigem On-Widerstand in einem Hochleistungs-TO263AB-Gehäuse.
ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie.
ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS, & Karosserie.
ROHM Semiconductor WL-CSP-Baureihe EEPROMs
Bis zu 8 KBit serieller EEPROM mit einer I2C-BUS-Schnittstelleund eignen sich hervorragend für alltäglich genutzte Elektronikgeräte.
| Teilnummer | Speichergröße | Organisation | Betriebsversorgungsstrom |
|---|---|---|---|
| BR24H64NUX-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FJ-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 2 mA |
| BR24H256FVM-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H64FVM-5ACTR | 64 kbit | 8 k x 8 | 2 mA |
| BR24H64FVT-5ACE2 | 64 kbit | 8 k x 8 | 10 uA |
| BR24H256NUX-5ACTR | 256 kbit | 32 k x 8 | 10 uA |
| BR24H32FVT-5ACE2 | 32 kbit | 4 k x 8 | 10 uA |
| BR24H128F-5ACE2 | 128 kbit | 16 k x 8 | 10 uA |
| BR24H04ANUX-5ACTR | 4 kbit | 512 x 8 | 10 uA |
| BR24H1MFVT-5ACE2 | 1 Mbit | 128 k x 8 | 20 uA |