SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 9.18
969Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040H65G3AG

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511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Datenblatt

969Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.18

CHF 6.36

CHF 5.37

Reel

CHF 4.56

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1'000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: CHF 18.30
47Auf Lager
600erwartet ab 20.04.2026

Herst. Teilenr.
SCTW90N65G2V

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511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

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47Auf Lager

600erwartet ab 20.04.2026

CHF 18.30

CHF 16.38

CHF 14.70

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.22
1'082Auf Lager
Neues Produkt

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SCT027H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT027H65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

1'082Auf Lager

Cut-Tape

CHF 10.22

CHF 7.20

CHF 6.25

Reel

CHF 5.31

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1'000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: CHF 8.78
547Auf Lager
Neues Produkt

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SCT040W65G3-4

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511-SCT040W65G3-4

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

547Auf Lager

CHF 8.78

CHF 5.25

CHF 4.99

CHF 4.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.15
641Auf Lager
Neues Produkt

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

641Auf Lager

CHF 10.15

CHF 8.25

CHF 6.88

CHF 6.13

CHF 5.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 6.89
1'779Auf Lager
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SCT055TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT055TO65G3

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Datenblatt

1'779Auf Lager

Cut-Tape

CHF 6.89

CHF 5.01

CHF 4.18

CHF 3.72

CHF 3.32

Reel

CHF 3.31

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1'800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 7.78
37Auf Lager
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT040TO65G3

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Datenblatt

37Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.78

CHF 5.47

CHF 4.34

Reel

CHF 3.68

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1'800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 12.54
202Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

202Auf Lager

Cut-Tape

CHF 12.54

CHF 8.85

CHF 8.07

Reel

CHF 6.85

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1'000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 12.88
532Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT018W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

532Auf Lager

CHF 12.88

CHF 9.97

CHF 9.64

CHF 9.39

Anzeigen

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.15
57Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT055W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

57Auf Lager

CHF 10.15

CHF 8.25

CHF 6.88

CHF 5.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1'000: CHF 7.98
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen

Reel

CHF 7.98

Min.: 1'000
Mult.: 1'000

Rolle: 1'000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

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