SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

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Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.79
863Auf Lager
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SCT027H65G3AG

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511-SCT027H65G3AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

863Auf Lager

Cut-Tape

CHF 10.79

CHF 7.53

CHF 6.12

Reel

CHF 5.79

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 7.26
1’754Auf Lager
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SCT055TO65G3

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511-SCT055TO65G3

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Datenblatt

1’754Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.26

CHF 4.96

CHF 4.09

CHF 3.72

CHF 3.40

Reel

CHF 3.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 14.81
455Auf Lager

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SCT018W65G3-4AG

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511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

455Auf Lager

CHF 14.81

CHF 11.28

CHF 9.40

CHF 8.37

CHF 7.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: CHF 9.15
517Auf Lager

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SCT040W65G3-4

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511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

517Auf Lager

CHF 9.15

CHF 5.50

CHF 4.90

CHF 4.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.64
481Auf Lager

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SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

481Auf Lager

CHF 10.64

CHF 7.71

CHF 6.60

CHF 5.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 13.14
45Auf Lager
1’000erwartet ab 26.02.2027

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SCT018H65G3AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

45Auf Lager

1’000erwartet ab 26.02.2027

Cut-Tape

CHF 13.14

CHF 9.27

CHF 8.86

CHF 7.90

Reel

CHF 7.38

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 9.60
843Auf Lager

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SCT040H65G3AG

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511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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843Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.60

CHF 6.66

CHF 5.26

Reel

CHF 4.97

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 8.18
8Auf Lager
1’800erwartet ab 13.07.2026
Neues Produkt

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SCT040TO65G3

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511-SCT040TO65G3

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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8Auf Lager

1’800erwartet ab 13.07.2026

Cut-Tape

CHF 8.18

CHF 5.61

CHF 4.50

CHF 4.28

CHF 4.02

Reel

CHF 4.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 11.92
16Auf Lager
600erwartet ab 05.10.2026

Herst. Teilenr.
SCT055W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

16Auf Lager

600erwartet ab 05.10.2026

CHF 11.92

CHF 9.08

CHF 8.13

CHF 6.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1’000: CHF 6.92
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
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SCT018H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3-7

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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

CHF 6.92

Min.: 1’000
Mult.: 1’000

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

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