SiC-MOSFETs – Mouser Liechtenstein

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650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (R_DS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

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Verpackung/Gehäuse

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 15.03
448Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT018W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Datenblatt

448Auf Lager

CHF 15.03

CHF 9.77

CHF 9.10

CHF 8.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.95
584Auf Lager
1’000erwartet ab 18.06.2027

Herst. Teilenr.
SCT027H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT027H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

584Auf Lager

1’000erwartet ab 18.06.2027

Cut-Tape

CHF 10.95

CHF 6.23

CHF 6.22

Reel

CHF 5.88

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: CHF 9.36
467Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040W65G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W65G3-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

467Auf Lager

CHF 9.36

CHF 5.13

CHF 4.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.80
481Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

481Auf Lager

CHF 10.80

CHF 7.22

CHF 6.70

CHF 5.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 7.37
1’404Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT055TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT055TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

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Datenblatt

1’404Auf Lager

Cut-Tape

CHF 7.37

CHF 4.03

CHF 3.77

CHF 3.49

Reel

CHF 3.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 13.34
22Auf Lager
1’000erwartet ab 29.01.2027

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

22Auf Lager

1’000erwartet ab 29.01.2027

Cut-Tape

CHF 13.34

CHF 8.02

Reel

CHF 7.58

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 9.74
665Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040H65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

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Datenblatt

665Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.74

CHF 5.48

CHF 5.34

Reel

CHF 5.05

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: CHF 8.26
14Auf Lager
1’800erwartet ab 29.01.2027

Herst. Teilenr.
SCT040TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT040TO65G3

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Datenblatt

14Auf Lager

1’800erwartet ab 29.01.2027

Cut-Tape

CHF 8.26

CHF 5.81

CHF 4.31

CHF 4.02

Reel

CHF 4.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’800

SMD/SMT

TOLL-8

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 11.01
5Auf Lager
600erwartet ab 16.04.2027

Herst. Teilenr.
SCT055W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

5Auf Lager

600erwartet ab 16.04.2027

CHF 11.01

CHF 8.24

CHF 7.53

CHF 6.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1: CHF 12.68
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen

Cut-Tape

CHF 12.68

CHF 8.93

CHF 7.52

Reel

CHF 7.02

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

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