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Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
Vishay MXP075 MaxSiC® 750-V-n-Kanal-MOSFETs
06.19.2026
Zeichnen sich durch eine Drain-Source-Spannung von 750 V, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine Kurzschlussfestigkeit von 3 μs.
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
06.18.2026
Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
Infineon Technologies EasyPACK™ S-Module
06.12.2026
Effiziente Leistungsumwandlung in einem kompakten, einfach zu integrierenden Gehäuse, das für moderne Leistungsdesigns ausgelegt ist.
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge
05.27.2026
Fortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs
05.18.2026
Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen
Infineon Technologies CIPOS™ Prime CoolSiC™-Leistungsmodule für Fahrzeuganwendungen
05.06.2026
Leistungsmodule sind für hohe Leistung in xEV-Anwendungen ausgelegt.
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET
04.14.2026
Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
04.07.2026
Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET
04.06.2026
Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
Vishay VS-HOT200C080 200-A-80-V-Leistungs-MOSFET-Modul
04.02.2026
Dieses Bauteil reduziert den Platzbedarf auf dem Board im Vergleich zu herkömmlichen diskreten Lösungen um bis zu 15 %.
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET
03.31.2026
Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs
03.31.2026
Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.    
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-Kanal
03.27.2026
Anwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 V
03.27.2026
Bietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie. 
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET
03.24.2026
Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
Renesas Electronics TP65B110HRU Bidirektionaler Schalter (BDS)
03.20.2026
Normalerweise ausgeschalteter GaN-BDS (Galliumnitrid) von 650 V und 110 mΩ in einem kompakten TOLT-Gehäuse.
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs
03.17.2026
Hierbei handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel, 80 V oder 100 V und sehr niedrigem On-Widerstand [RDS(ON)].
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
Infineon Technologies Bidirektionale Schalter CoolGaN™ für mittlere Spannung
03.17.2026
Diese Bauteile eignen sich hervorragend als Batterietrennschalter in verschiedenen Applikationen.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs
03.13.2026
Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET
03.10.2026
Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.
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