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STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 von STMicroelectronics sind durch Zener-Dioden geschützt und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine Mindest-Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V, eine Gate-Source-Spannung von ±30 V und eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C aus. Die Leistungs-MOSFETs MDmesh K6 zeichnen sich außerdem durch eine maximale Dioden-Erholungs-Spannungsteilung von 5 V/ns, eine maximale Dioden-Erholungs-Stromteilung von 100 A/µs und eine MOSFET-dv/dt-Robustheit von 120 V/ns aus. Typische Anwendungen sind Notebooks und AIOs, Sperrwandler, Netzteile für Tablets und LED-Beleuchtung.

Merkmale

  • MDmesh K6 Technologie
  • Extrem niedrige Gate-Ladung
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Zener-geschützt

Technische Daten

  • Minimale Drain-Source-Durchschlagspannung von 800 V
  • Gate-Source-Spannung von ±30 V
  • Spitzen-Diodenfreilauf-Spannungsanstieg: 5 V/ns
  • Spitzen-Diodenfreilauf-Stromanstieg: 100 A/µs
  • MOSFET dv/dt-Robustheit: 120 V/ns
  • Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C

Applikationen

  • Notebook und AIO
  • Sperrwandler
  • Adapter für Tablets
  • LED-Beleuchtung

Testschaltungen

STMicroelectronics MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Dazugehörige MOSFETs

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Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh-K6-Technologie ausgelegt ist.

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Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

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Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz und 100 % Avalanche.

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Mit einer ausgezeichneten RDS(on) x Fläche und einem niedrigen Qg werden hohe Schaltgeschwindigkeiten und geringe Verluste erreicht.

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Bietet eine n-Kanal-Leistungslösung für sehr hohe Spannungen, die die ultimative MDmesh K6-Technologie nutzt.

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Teilnummer Datenblatt Montageart Verpackung/Gehäuse Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Qg - Gate-Ladung Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung Abfallzeit Anstiegszeit Regelabschaltverzögerungszeit Typische Einschaltverzögerungszeit
STD80N340K6 STD80N340K6 Datenblatt SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 12 A 340 mOhms 17.8 nC 92 W Enhancement Reel 11 ns 4.9 ns 34 ns 13 ns
STF80N240K6 STF80N240K6 Datenblatt Through Hole TO-220FP-3 16 A 220 mOhms 25.9 nC 27 W Enhancement Tube 12 ns 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
STF80N1K1K6 STF80N1K1K6 Datenblatt Through Hole TO-220FP-3 5 A 1.1 Ohms 5.7 nC 21 W Enhancement Tube 14 ns 4.3 ns 22 ns 7.4 ns
STF80N600K6 STF80N600K6 Datenblatt Through Hole TO-220FP-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 23 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STD80N240K6 STD80N240K6 Datenblatt SMD/SMT 16 A 220 Ohms 25.9 nC 105 W Enhancement Reel
STD80N450K6 STD80N450K6 Datenblatt SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) 10 A 450 mOhms 17.3 nC 83 W Enhancement Reel 12.7 ns 4 ns 28.8 ns 10.6 ns
STP80N1K1K6 STP80N1K1K6 Datenblatt Tube
STP80N600K6 STP80N600K6 Datenblatt Through Hole TO-220-3 7 A 600 mOhms 10.7 nC 86 W Enhancement Tube 12.6 ns 4.1 ns 28.2 ns 9 ns
STP80N450K6 STP80N450K6 Datenblatt Through Hole TO-220-3 10 A 450 mOhms Enhancement Tube
STP80N240K6 STP80N240K6 Datenblatt Through Hole TO-220-3 10 A 220 mOhms 25.9 nC 140 W Enhancement Tube 12 s 5.3 ns 47.8 ns 16 ns
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-25 | Aktualisiert: 2026-01-21