Infineon Technologies CoolSiC™-MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das sowohl für die niedrigsten Verluste in der Applikation als auch für die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Das diskrete CoolSiC-Portfolio in TO- und SMD-Gehäusen ist in den Spannungsklassen 650 V, 1.200 V und 1.700 V mit on-Widerstandswerten von 27 mΩ bis 1.000 mΩ verfügbar. Die CoolSiC-Trench-Technologie ermöglicht einen flexiblen Parametersatz, der für die Implementierung von applikationsspezifischen Funktionen in den jeweiligen Produktportfolios verwendet wird. Diese Funktionen umfassen Gate-Source-Spannungen, Avalanche-Spezifikation, Kurzschlussfestigkeit oder eine interne Body-Diode, die für eine harte Kommutierung ausgelegt ist.

Infineon CoolSiC-MOSFETs in diskreten Gehäusen eignen sich hervorragend für hart- und resonanzschaltende Topologien, wie z. B. Blindleistungskompensations-Schaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC/DC-Wandler oder DC/AC-Wechselrichter. Eine hervorragende Immunität gegen unerwünschte parasitäre Effekte beim Einschalten ermöglicht einen noch nie dagewesenen niedrigen dynamischen Verlust selbst bei einer Ausschaltspannung von null Volt in Brückentopologien. Das TO- und SMD-Angebot von Infineon wird mit Kelvin-Quellenpins für eine optimierte Schaltleistung geliefert.

Infineon vervollständigt das diskrete SiC-Angebot mit einer Auswahl von ausgewählten Treiber-IC-Produkten, welche die Anforderungen der ultraschnellen SiC-MOSFET-Schaltfunktion erfüllen. Zusammen nutzen CoolSiC-MOSFETs und EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs den Vorteil der SiC-Technologie: verbesserter Wirkungsgrad, Platz- und Gewichtseinsparungen, Reduzierung der Anzahl Bauteile und verbesserte Systemzuverlässigkeit.

Technische Merkmale

• Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
• Stabile, robuste Body-Diode
• Hervorragend in hartschaltenden Topologien, z. B. Servoantriebe

• Niedrigste Schaltverluste bei schneller Schaltgeschwindigkeit
• Einschaltfestigkeit dank der Robustheit gegen parasitäre Einschalteffekte
• Kurzschlussfestigkeit 3 µs • Excel in weichschaltenden Topologien, z. B. EV-Ladung
• Niedrigste Schaltverluste und einfaches Design
• 0 V Ausschalten kann angewendet werden

Applikationsvorteile

• CoolSiC-MOSFET in Solarapplikationen
• Verdopplung der Wechselrichterleistung bei gleichem Wechselrichtergewicht
• Verfügt über eine deutlich geringere Reduzierung des Wirkungsgrads bei hohen Betriebstemperaturen
• Bietet eine Erhöhung der Leistungsdichte um einen Faktor von bis zu 2,5
• Zeigt eine maximale Effizienz von mehr als 99 %
• CoolSiC- MOSFET in Energiespeichersystemen
• Reduziert Verluste um bis zu 50 %
• Erhöht die Energie um bis zu 2 %, ohne die Batteriegröße zu, ohne die Batteriegröße zu erhöhen
• CoolSiC ™ MOSFEKT in Server- und Telekommunikationsleistung
• Reduziert Verluste um bis zu 30 %
• Verdoppelt die Dichte für das Erreichen
• CoolSiC-MOSFET im EV-Laden
• Reduziert die Ladezeit um die Hälfte
• Reduziert die Komponentenanzahl um 50 % und steigert gleichzeitig den Wirkungsgrad
• Reduziert die Betriebskosten aufgrund eines höheren Wirkungsgrads
• Reduziert den Kühlaufwand

xEV-Applikationen

• Vorteile des Hauptwechselrichters
• Erhöht die Batterienutzung um 5-10 %
• Erhöht die Leistungsdichte für Reduzierungen der Systemgröße um bis zu 80 %
• Reduziert Leitungsverluste bei geringer Last im Vergleich zu Si-IGBTs
• Vorteile von On-Board-Ladegeräten
• Ermöglicht kleinere bidirektionale 3-Phasen-Ladegeräte
• Hilft bei der Reduzierung von passiven Komponenten durch schnelleres Schalten
• Verbesserter Wirkungsgrad in der PFCCC- und /DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC/DC-Stufe von bis zu 1 %
• HV DC/DC-Wandler-Vorteile
• Bietet höhere Schaltfrequenze
• Verbessert die Leistungsdichte
• Erhöht das Integrationsniveau