Neu IGBTs

Die diskreten IGBT7 H7-Transistoren von Infineon 750 V TRENCHSTOP™) verfügen über ein DTO247 Gehäuse und ersetzen mehrere parallel geschaltete Transistoren mit niedrigerem Strom in Standard-TO247-Gehäusen. Das DTO247 Paket ist doppelt so groß wie ein Standard- TO247 Paket und ist mit den Architekturen DTO247und TO247-basiert innerhalb desselben Systems kompatibel, um eine verbesserte Flexibilität und Anpassung zu gewährleisten. Das TRENCHSTOP DTO247 Design ermöglicht Hochleistungsdichte und überbrückt gleichzeitig die Lücke zwischen TO247-basierten Designs und Modularchitekturen. Die 2 mm breiten Anschlüsse bieten eine optimale Leitfähigkeit, während die 10 mm große Kriechstrecke eine verbesserte Sicherheit und Zuverlässigkeit bietet. Das Gehäuse verfügt über eine 7 mm Pin-zu-Pin- Luftstrecke und einen integrierten Kelvin- Emitter -Pin für schnelleres und effizienteres Schalten. Diese 750 V Transistoren von Infineon dienen dazu, die Entwicklungszeit kosteneffektiver, skalierbarer Architekturen für Hochstrom- Applikationen zu vereinfachen und zu verkürzen, einschließlich Solar- Umrichter, Energie Speicher Systeme (ESS) und Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS).
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Infineon Technologies 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 diskrete TransistorenDTO247-Gehäuse, ersetzt mehrere Transistoren mit niedrigerem Strom in TO247-Gehäusen, die parallel geschaltet sind.01.12.2025 -
onsemi AFGB30T65RQDN IGBTBietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.19.11.2025 -
onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBTDas Gerät bietet ein optimales Betriebsverhalten mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten.13.10.2025 -
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTsDas Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.13.10.2025 -
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.22.05.2025 -
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit DiodeKombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.24.12.2024 -
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTsDiese verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust und eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren und HV-Heizgeräte.17.10.2024 -
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBTMit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.12.09.2024 -
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBTMit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.12.09.2024 -
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.25.07.2024 -
Infineon Technologies IGBT-EDT2-Einzelbauelemente für die Fahrzeugtechnik750-V-IGBT-Technologie, die die Energieeffizienz für Anwendungen in der Fahrzeugtechnik verbessert.19.07.2024 -
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.03.07.2024 -
onsemi AFGHxL40T Automobilstandard-IGBTsAEC-Q101-qualifiziert und verwendet eine robuste Field-Stop-VII-Trench-Bauweise.12.06.2024 -
onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT650-V-n-Kanal-Zündbauteil für PTC-Heizgeräte und Hochstrom-Systemapplikationen.04.06.2024 -
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT TransistorsInclude a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.24.04.2024 -
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTsOffer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.12.04.2024 -
onsemi WärmepumpenDie Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.01.03.2024 -
onsemi AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A IGBTField-Stop-IGBT der 4. Generation mit innovativer Technologie.01.03.2024 -
onsemi FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTsDie Bauteile verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode.07.02.2024 -
Bourns ElektrifizierungslösungenTransformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.20.12.2023 -
onsemi FGHL60T120RWD 1200 V Diskreter 60 A-IGBTVerwendet fortschrittliche IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse 3 Anschlüssen untergebracht.29.11.2023 -
onsemi FGHL40T120RWD 1200 V Diskreter 40 A-IGBTVerwendet die IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen untergebracht.29.11.2023 -
onsemi AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTsDiese Bauteile zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus.22.11.2023 -
onsemi FGY140T120SWD 1200 V Schneller diskreter 140 A-IGBTAusgestattet mit fortschrittlicher IGBT-Technologie der 7. Generation.13.11.2023 -
STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-BaureiheMit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.31.10.2023 -
