Neu MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge sind fortschrittliche 100 V n-Kanal-Bauteile, die für eine hocheffiziente Leistungsschaltung in modernen Fahrzeugarchitekturen ausgelegt sind. Basierend auf der OptiMOS™ 7 Technologie bieten diese 100 V MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, ein schnelles Schaltverhalten und eine hohe Avalanche-Fähigkeit. Dies reduziert Leitungs- und Schaltverluste, während gleichzeitig eine hohe Robustheit und thermische Leistung erhalten bleiben. Diese Eigenschaften unterstützen Designs mit hoher Leistungsdichte in kompakten Gehäusen und sind daher ideal für anspruchsvolle Fahrzeugumgebungen, die Zuverlässigkeit, Effizienz und einen gleichmäßigen Betrieb erfordern.
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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100 V Leistungs-MOSFETs für FahrzeugeFortschrittliche n-Kanal-Bauteile für hocheffiziente Leistungsschaltung.27.05.2026
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Texas Instruments 2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETsEntwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.18.05.2026 -
onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFETOptimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.14.04.2026 -
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETLow switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.07.04.2026 -
onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFETDual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.06.04.2026 -
Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETsIdeal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.31.03.2026 -
STMicroelectronics STL059N4S8AG Leistungs-MOSFETEin 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.31.03.2026 -
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 6 60 VBietet im Vergleich zu OptiMOS 5 ein überlegenes Betriebsverhalten dank robuster Leistungs-MOSFET- Technologie.27.03.2026 -
Infineon Technologies Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 25 V mit N-KanalAnwendungsoptimiertes Betriebsverhalten, das Betriebsverhalten für Rechenzentren, Server & KI ermöglicht.27.03.2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFETDelivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.24.03.2026 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETsDies sind N-Kanal-MOSFETs mit Normalpegel und einer Nennspannung von 80 V oder 100 V sowie einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand [RDS(ON)].17.03.2026 -
onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETsFür kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.13.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.10.03.2026 -
Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFETSupports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.06.03.2026 -
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETsNormalstufige 80-V-N-Kanal-Bauteile, normale Stufe, mit überlegenem thermischem Widerstand in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse.05.03.2026 -
iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETsFeatures low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.19.02.2026 -
IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETsSie bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei verbessertem Wirkungsgrad.02.02.2026 -
onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFETDieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).26.12.2025 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETsSetzt mit einem breiten Portfolio branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung.23.12.2025 -
onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFETEntwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.19.12.2025 -
onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFETBietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.25.11.2025 -
onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.25.11.2025