Angewendete Filter:
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Nennspannung von -60 V VDSS und einem Nennstrom von ±36 A ID, der gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 40 V und einem Strom ID von ±12 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
Ansicht: 1 - 25 von 228
CML Micro EV9942EF Evaluation Board
04.17.2026
04.17.2026
Enables detailed evaluation of the CMX994EF high‑performance direct conversion receiver IC.
Nexperia NEVB-NEX92830DPCUL Evaluierungsboard
04.17.2026
04.17.2026
Entwickelt zur Evaluierung des NEX92830DPC 300-mA-Zweikanal-Antennen-LDO mit Strommessung.
NXP Semiconductors PF81/PF82 12-Channel Power Management ICs (PMICs)
04.17.2026
04.17.2026
Delivers proven, high-efficiency power management for advanced automotive and industrial processing.
CML Micro CMX994EF Direct Conversion Receiver
04.17.2026
04.17.2026
Replaces earlier receiver generation ICs from CML with improved functionality and power efficiency.
Nordic Semiconductor nRF54LM20B Ultra-Low-Power-Wireless-SoC
04.16.2026
04.16.2026
Kombiniert eine effiziente MCU mit Drahtlos-Anschlussfähigkeit mit extrem niedrigem Stromverbrauch und bietet 2 MB NVM sowie 512 KB RAM.
Infineon Technologies Battery Management ICs
04.16.2026
04.16.2026
Deliver precision cell monitoring, balancing, and battery health monitoring for Li-ion applications.
Mikroe EnOcean 5 Click
04.16.2026
04.16.2026
Provides a bidirectional communication interface for EnOcean-based sensors, switches, and actuators.
Nordic Semiconductor nRF7002 Expansion Board II
04.16.2026
04.16.2026
Plug-in board designed to add advanced Wi-Fi® 6 connectivity to Nordic nRF54 Development Kits.
Infineon Technologies TLE9016 Li-Ion Battery Monitoring & Balancing IC
04.16.2026
04.16.2026
A multi-channel battery monitoring and balancing IC designed for Li-Ion battery packs.
Infineon Technologies EZ-PD™ CCG7S USB Single-Port USB-C Power Delivery
04.16.2026
04.16.2026
Single-port USB Type-C® PD solution with a buck-boost controller & the option of integrated MOSFETs.
Infineon Technologies TLI55950 XENSIV™ Amplified Linear Position Sensor
04.16.2026
04.16.2026
This position sensor is a TMR-based magnetic linear sensor with an integrated operational amplifier.
Diotec Semiconductor BAS70-05W Schottky Diode
04.16.2026
04.16.2026
Designed for high‑speed switching and voltage clamping in space‑constrained applications.
STMicroelectronics ASM330LHHG1 6-Achsen-Trägheitsmesseinheit
04.14.2026
04.14.2026
Ausgestattet mit einem 3-Achsen-Digitalgyroskop und Beschleunigungsmesser mit einem erweiterten Temperaturbereich bis zu +125 °C.
iC-Haus iC-HE Triple Differential Line Driver
04.14.2026
04.14.2026
Three-channel driver with complementary outputs optimized for line impedances in the range of 75Ω.
iC-Haus iC-HF 6-Channel RS422 Driver
04.14.2026
04.14.2026
Features 3+3 channel RS-422 line driver/receiver SSI/BiSS transceiver, including loopback.
onsemi NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET
04.14.2026
04.14.2026
Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.
iC-Haus iC-DP High-Side Switch
04.14.2026
04.14.2026
Designed for a wide input voltage range of 4V to 36V and a 200mA minimum output current.
iC-Haus iC-DN Low-Side Switch
04.14.2026
04.14.2026
Monolithic lowside switch for ohmic, inductive, and capacitive loads.
Analog Devices Inc. LT8060x/LT8060xHV Synchrone Abwärtsregler
04.13.2026
04.13.2026
Architektur reduziert EMI-Emissionen und liefert gleichzeitig einen hohen Wirkungsgrad mit Frequenzen von bis zu 3 MHz.
Microchip Technology PIC16F13276 Curiosity Nano Evaluierungskit
04.13.2026
04.13.2026
Ein kompaktes, funktionsreiches Development Board für Embedded-Design, IoT und Schnelles Prototyping.
NXP Semiconductors KITPF09FRDMPGM Programmierboard
04.10.2026
04.10.2026
Entwicklungs-Sockelplatine mit dem PF09 9-Kanal-Leistungsmanagement-IC (PMIC).
onsemi NCV78964 Zweiphasen-Booster/Buck-LED-Treiber
04.10.2026
04.10.2026
Einzelchip-Zweiphasen-Booster mit hohem Wirkungsgrad und synchronen Dual-Buck-LED-Treibern.
Texas Instruments SN74LVC244A/SN74LVC244A-Q1 Oktal-Bus-Buffer
04.10.2026
04.10.2026
Das Bauteil enthält acht individuelle Hochgeschwindigkeits-CMOS-Buffer, die als zwei 4-Bit-Buffer/Leitungstreiber organisiert sind.
NXP Semiconductors KITPF8x50FRDMEVM Evaluierungsboards
04.10.2026
04.10.2026
Diese Boards enthalten die PF8150 und PF8250 Leistungsmanagement Integrierte Schaltkreise (PMICs).
onsemi NL3V1T244/34 1-Bit-Dual-Versorgungs-Pegelumsetzer
04.10.2026
04.10.2026
Ermöglichen eine nicht-invertierende Spannungsumsetzung mit hoher Geschwindigkeit zwischen zwei unabhängigen Stromversorgungsbereichen.
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