Renesas Electronics GaN FETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
351Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Datenblatt
798Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Datenblatt
1'428Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Datenblatt
850Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Datenblatt
611Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
2'674Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
2'518Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Datenblatt
1'226Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Datenblatt
1'696Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1'300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
3'773Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4'000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs GAN FET 650V 95A TO2 47
Datenblatt
409Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 276 W Enhancement
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L
Datenblatt
768Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Datenblatt
856Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
1'685Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4'000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1'200
Mult.: 1'200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
Rolle: 2'000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
Rolle: 3'000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5'000
Mult.: 5'000
Rolle: 5'000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3'000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5'000
Mult.: 5'000
Rolle: 5'000

700 V SuperGaN